固态器件， INC 。
14830谷景观大道*拉米拉达，钙90638
电话： （ 562 ） 404-7855 *传真： （ 562 ） 404-1773
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2N5013 2N5015直通
电气特性
1/
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= 200µA
DC
, R
BE
= 1KΩ)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 200µA
DC
)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 50µA
DC
)
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 650V （ 2N5013 ）
V
CB
= 700V （ 2N5014 ）
V
CB
= 750V （ 2N5015 ）
V
CB
= 650V （ 2N5013 ）
V
CB
= 700V （ 2N5014 ）
V
CB
= 750V （ 2N5015 ）
2N5013
2N5014
2N5015
2N5013
2N5014
2N5015
符号
BV
CER
民
800
900
1000
800
900
1000
5
––
––
––
––
––
––
10
30
––
––
––
20
––
––
––
––
––
最大
––
单位
V
BV
CBO
BV
EBO
––
––
12
12
12
100
100
100
V
V
(T
C
= 100°)
I
CBO
μAdc
直流电流增益
2/
(I
C
= 5毫安
DC
, V
CE
= 10V
DC
)
(I
C
= 20mA下
DC
, V
CE
= 10V
DC
)
集电极 - 发射极饱和电压
2/
(I
C
= 20mA下
DC
, I
B
= 5毫安
DC
)
基地 - 发射极饱和电压
2/
(I
C
= 20mA下
DC
, I
B
= 5毫安
DC
)
电流增益带宽积
(I
C
= 20mA下
DC
, V
CE
= 10V
DC
， F = 1 - 为20MHz ）
输出电容
(V
CB
= 10V
DC
, I
E
= 0A
DC
中，f = 1.0MHz的）
2N5013
2N5014
2N5015
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
COB
td
V
CC
= 125V
DC
,
I
C
= 100毫安
DC
,
I
B1
= 20mA下
DC
,
I
B2
= 20mA下
DC
tr
ts
tf
180
1.6
1.6
1.8
1.0
––
30
200
1200
3.0
800
––
VDC
VDC
兆赫
pF
纳秒
纳秒
微秒
纳秒
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
注意事项：
1 /除非另有规定：所有测试@ 25ºC
2 /脉冲测试：脉冲宽度= 300
µS,
占空比= 2 ％
热降额曲线等特性曲线，请联系SSDI市场部。
SSDI [ SOLID STATES DEVICES, INC ]
