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MMBT3904LT1 参数 Datasheet PDF下载

MMBT3904LT1图片预览
型号: MMBT3904LT1
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内容描述: 晶体管( NPN型) [Transistors (NPN)]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管
文件页数/大小: 2 页 / 75 K
品牌: SSC [ SILICON STANDARD CORP. ]
 浏览型号MMBT3904LT1的Datasheet PDF文件第2页  
MMBT3904LT1
晶体管( NPN型)
特点
功耗,P
CM
: 0.2W (T
AMB
=25℃)
集电极电流,I
CM
: 0.2A
集电极 - 基极电压,V
( BR ) CBO
: 60V
工作和存储结温范围:
T
J
,
T
英镑
: -55 ℃〜+ 150 ℃
SOT- 23塑料封装封装
器件标识: AM1
电气特性
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
测试条件
IC = 100 μA , IE = 0
VIC = 1毫安, IB = 0
60
40
最大
单位
V
V
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
H
FE(1)
H
FE(2)
IE = 100μA , IC = 0
V
CB
= 60V , IE = 0
V
CE
= 40V , IB = 0
V
EB
= 5V , IC = 0
V
CE
= 10V , IC = 1毫安
V
CE
= 1V , IC = 50毫安
I
C
= 50mA时IB = 5毫安
I
C
= 50mA时IB = 5毫安
V
CE
= 20V ,我
C
= 10毫安
f=100MHz
6
0.1
0.1
0.1
100
60
300
0.3
0.95
250
V
µA
µA
µA
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
V
V
兆赫
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
t
d
t
r
ts
tf
V
CC
=3.0Vdc,V
BE
=0.5Vdc
IC=10mAdc,IB1=1.0mAdc
VCC = 3.0VDC , IC = 10mAdc
IB1=IB2=1.0mAdc
35
35
200
50
nS
nS
nS
nS
注:除非另有说明,这些规格适用于工作环境
温度为25 ℃ 。
2006年12月16日1.00版
www.SiliconStandard.com
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