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概述
该Am29BDS643G是64兆， 1.8伏只， simul-
taneous读/写，突发模式闪存
设备，组织为每个16位4,194,304字。
该器件采用单V
CC
1.7〜 1.9 V阅读，
编程和擦除的存储器阵列。 12.0伏V
PP
可用于更快的程序的性能，如果需要的。
该设备还可以在标准编程
EPROM编程器。
在66 MHz时， Am29N643提供了一个突发访问
11毫微秒，在30 pF的为71纳秒，在30初始访问时间
pF的。在54兆赫，该装置提供一个脉冲串存取
13.5 ns的30 pF的87.5纳秒的初始访问时间
30 pF的。在40兆赫，该装置提供了一个突发的访问
的20纳秒，在30 pF的具有95纳秒，在30初始访问时间
pF的。该设备的工业温度范围内运行
TURE范围为-40 ° C至+ 85°C 。该器件采用
44球很薄FBGA封装。
该设备采用芯片使能（ CE ＃ ） ，写使能
（ WE＃ ） ，地址有效（ AVD ＃ ）和输出使能
（ OE ＃ ）控制异步读取和写入操作
系统蒸发散。对于突发业务，该装置还
需要省电（ PS ） ，就绪（ RDY ） ，和时钟
（CLK） 。这种实现可轻松实现与
最小的胶合逻辑微处理器/微控制器
为高性能的读操作。
该器件提供了与完整的兼容性
42.4 JEDEC单电源闪存命令
一套标准。
命令被写入命令
注册使用标准的微处理器写时序。
读出的数据的设备类似于阅读
其他Flash或EPROM器件。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成，通过使用该设备
台站
土族位
DQ7 （数据＃投票）和DQ6 / DQ2 （切换
位）。经过编程或擦除周期一直的COM
完成之后，那位设备会自动返回到阅读
阵列的数据。
该
扇区擦除架构
允许内存节
器进行擦除和重新编程，而不影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该器件还提供了
三种类型在部门级的数据保护。该
部门锁定/解锁命令序列
禁用或
重新启用这两个程序在任何擦除操作
部门。当在V
IL
,
WP ＃
锁定最外层的部门。
最后，当
V
PP
是V
IL
，所有部门都被锁定。
该器件提供两种省电功能。当
地址已经稳定一段指定的量
时，器件进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备插入
待机模式。
功率消耗是很大的重
duced在这两种模式。
同时读/写操作与
零延迟
同时读/写架构提供
同时操作
通过将所述存储器
空间分成四组。该设备允许主机系
统进行编程或擦除一家银行，然后
立即并同时从另一个读
银行，零延迟。这种释放系统从
等待完成编程或擦除
操作。
该装置被划分为列于下表中：
银行A & B部门
QUANTITY
4
31
SIZE
8 K字
32
32 K字
32兆位总
32兆位总
32 K字
C银行& D部门
QUANTITY
SIZE
2
Am29BDS643G
25692A2 2006年5月8日
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