的SuI P P L E M E N牛逼
概述
在已知合格芯片的Am29BL802C （ KGD ）的形式是
8兆位， 3.0伏只闪存。 AMD定义
KGD作为标准产品裸片形式，测试功能 -
先进而精湛和速度。 AMD KGD产品具有相同的可靠性
能力素质作为AMD的产品包装形式。
方案的阵列（如果它尚未被编程） BE-
前执行擦除操作。在擦除时，
设备自动倍擦除脉冲宽度和
验证正确的电池余量。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成，通过观察RY / BY ＃
销，或通过阅读DQ7 （数据＃投票）和DQ6
（切换）
状态位。
编程或擦除周期后，
已经完成时，该装置已准备好读取阵列
数据或接受另一个命令。
该
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程，而不会影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括低V
CC
探测器可以自动抑制写操作能很好地协同
荷兰国际集团权力过渡。该
硬件部门保护
功能禁用这两个方案和擦除操作
的存储器中的扇区的任意组合。这可以是
在系统或通过编程设备来实现。
该
擦除暂停/删除恢复
功能使
用户将擦除搁置任何时间
读取数据，或程序数据，即任何扇区
未选择删除。真正的背景擦除即可
由此来实现。
该
硬件RESET ＃引脚
终止任何操作
在进行中，内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET ＃引脚可连接到
系统复位电路。因此，一个系统复位也会
复位装置，使系统微处理器
读取从Flash存储器的引导固件。
该器件提供两种省电功能。当
地址已经稳定一段指定的量
时，器件进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备插入
待机
模式。
功率消耗在两个大减
这些模式。
AMD的闪存技术，结合多年的闪光
内存制造经验，生产的
最高级别的质量，可靠性和成本效益。
该装置电擦除一个扇区内的所有位
同时，通过福勒- Nordheim隧穿。该
数据是使用热电子注入编程。
Am29BL802C特点
该Am29BL802C是8兆， 3.0伏只爆
组织为524模式闪存芯片， 288
话。这些装置被设计成被编程
在系统与标准系统3.0伏V
CC
供应量。 12.0伏V
PP
或5.0 V
CC
不要求
编程或擦除操作。该装置也可以是
在标准EPROM编程器编程。
该器件提供80 ns的存取时间，使
高速微处理器无需等待操作
状态。为了消除总线争用该设备具有sep-
独的芯片使能（ CE ＃ ） ，写使能（ WE＃ ）和
输出使能（ OE ＃ ）控制。
突发模式功能
该Am29BL802C提供了一个线性突发模式一
32字顺序突发周围，在一个包裹
底部启动配置而已。该设备需要
额外的控制引脚
爆操作：
负载
突发地址（ LBA ＃ ） ，突发地址进展
（ BAA ＃ ）和时钟（CLK） 。这种实现允许
易于接口以最小的胶合逻辑的广泛
微处理器/微控制器高perfor-
曼斯读操作。
AMD的闪存产品特点
只有每个设备都需要
单3.0伏电源
供应
用于读取和写入功能。国内
产生并提供了用于调节电压
编程和擦除操作。在I / O和控制
信号5V的电压。
该Am29BL802C完全是命令集兼容
与
JEDEC单电源闪存标
准。
命令被写入命令寄存器
采用标准的微处理器写时序。注册
内容作为输入到一个内部状态机
控制擦除和编程电路。
写周期内部也锁存地址和数据
所需的编程和擦除操作。
读出的数据的设备类似于阅读
其他Flash或EPROM器件。
设备出现擦除通过执行擦除的COM
命令序列。这将启动
嵌入式擦除
算法的内部算法，自动预
电气规格
请参考Am29BL802C数据表，出版
号码22371 ，完整的电气规范上
Am29BL802C在KGD形式。
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Am29BL802C已知合格芯片
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