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    AM29BL802CB-80RDWE1 参数 Datasheet PDF下载

    AM29BL802CB-80RDWE1图片预览
    型号： AM29BL802CB-80RDWE1
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 8兆位（ 512K的x 16位） CMOS 3.0伏只，连拍模式，引导扇区闪存裸片修订版1 [8 Megabit (512 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Burst-mode, Boot Sector Flash Memory-Die Revision 1]
    分类和应用： 闪存内存集成电路
    文件页数/大小： 17 页 / 292 K
    品牌： SPANSION [ SPANSION ]
     浏览型号AM29BL802CB-80RDWE1的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AM29BL802CB-80RDWE1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AM29BL802CB-80RDWE1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AM29BL802CB-80RDWE1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AM29BL802CB-80RDWE1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AM29BL802CB-80RDWE1的Datasheet PDF文件第7页浏览型号AM29BL802CB-80RDWE1的Datasheet PDF文件第8页浏览型号AM29BL802CB-80RDWE1的Datasheet PDF文件第9页  
    补充
    Am29BL802C已知合格芯片
    8兆位（ 512K的×16位）
    CMOS 3.0伏只，连拍模式，引导扇区闪存裸片修订版1
    特色鲜明
    s
    32个字的顺序与回绕（线性
    32 ） ，底部启动
    s
    一个8千字，两个4千字，一是48 K字，三
    64千字，以及两个128千字行业
    s
    单电源工作
    - 稳压电压范围： 3.0〜 3.6伏读取和
    写操作和用于与高兼容性
    高性能3.3伏微处理器
    s
    读取访问时间
    22 ns的突发存取时
    扩展级温度范围
    80 ns的初始/随机访问
    s
    通过BAA ＃引脚可变脉冲长度
    s
    功耗（典型值）
    - 突发模式阅读：15毫安， 25兆赫，
    20毫安@ 33MHz的25毫安， 40兆赫
    - 编程/擦除： 20毫安
    - 待机模式下， CMOS ： 22 μA
    s
    承受5V电压数据，地址和控制信号
    s
    扇区保护
    - 使用在系统或通过实施
    编程设备
    - 临时机构撤消功能允许代码
    改变先前锁定行业
    s
    解锁绕道程序命令
    - 发行时降低了总体规划的时间
    多个程序的命令序列
    s
    嵌入式算法
    - 嵌入式擦除算法自动
    preprograms和擦除整个芯片或任何
    指定界别组合
    - 嵌入式程序算法自动
    写和在指定地址的数据验证
    s
    最少100,000次擦除周期保证
    每个扇区
    s
    20年的数据保存在125°C
    s
    与JEDEC标准兼容
    - 引脚和软件兼容的单
    电源闪存
    - 高级无意写保护
    - 与AMD Am29LV和向后兼容
    Am29F闪存：权力在
    异步模式系统启动，但可以
    立即被置于突发模式
    s
    数据＃查询和翻转位
    - 提供了检测程序软件的方法
    或擦除操作完成
    s
    就绪/忙＃引脚（ RY / BY ＃ ）
    - 提供检测硬件方法
    编程或擦除周期完成
    s
    擦除暂停/删除恢复
    - 挂起擦除操作来读取数据，
    或程序数据，一个扇区是不是
    擦除，然后恢复擦除操作
    s
    硬件复位引脚（ RESET ＃ ）
    - 硬件的方法来重置设备读取
    数组数据
    s
    经测试数据表规格的
    温度
    s
    质量和可靠性水平相当于
    标准封装组件
    出版＃
    23694
    启：
    A
    Amendment/+2
    发行日期：
    2002年9月13日

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