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概述
该Am29BL162C是16兆， 3.0伏只爆
模式闪存设备组织为1,048,576
话。该器件采用56引脚SSOP
封装。这些设备被设计为亲
编程在系统的标准系统3.0伏
V
CC
供应量。 12.0伏V
PP
或5.0 V
CC
不要求
用于编程或擦除操作。该还可以装置
在标准EPROM编程器进行编程。
该设备提供了访问时间的65 ，70， 90 ，和120个
NS ，允许高速微处理器来操作
无需等待。为了消除总线争用的
设备都有单独的芯片使能（ CE ＃ ） ，写使能
（ WE＃ ）和输出使能（ OE ＃ ）控制。
该
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程，而不会影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括低V
CC
探测器可以自动抑制写操作能很好地协同
荷兰国际集团权力过渡。该
硬件部门保护
功能禁用这两个方案和擦除操作
的存储器中的扇区的任意组合。这可以是
在系统或通过编程设备来实现。
该
擦除暂停/删除恢复
功能使
用户将擦除搁置任何时间
读取数据，或程序数据，即任何扇区
未选择删除。真正的背景擦除即可
由此来实现。
该
硬件RESET ＃引脚
终止任何操作
在进行中，内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET ＃引脚可连接到
系统复位电路。因此，一个系统复位也会
复位装置，使系统微处理器
读取从Flash存储器的引导固件。
该器件提供两种省电功能。当AD-
连衣裙一直稳定为指定的量
时，器件进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备插入
待机
模式。
功率消耗在两个大减
这些模式。
AMD的闪存技术，结合多年的闪光
内存制造经验，生产的
最高级别的质量，可靠性和成本效益。
该装置电擦除一个扇区内的所有位
同时，通过福勒- Nordheim隧穿。该
数据是使用热电子注入编程。
突发模式功能
该Am29BL162C提供了一个线性突发模式一
32字顺序突发周围，在一个包裹
底部启动配置而已。该设备需要
额外的控制引脚
爆操作：
负载
突发地址（ LBA ＃ ） ，突发地址进展
（ BAA ＃ ）和时钟（CLK） 。这种实现允许
易于接口以最小的胶合逻辑的广泛
微处理器/微控制器高perfor-
曼斯读操作。
AMD的闪存产品特点
只有每个设备都需要
单3.0伏电源
供应
用于读取和写入功能。国内
产生并提供了用于调节电压
编程和擦除操作。在I / O和控制
信号5V的电压。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要通过标写入命令寄存器
准微处理器写时序。寄存器的内容
作为输入到一个内部状态机是CON组
指令对擦除和编程电路。写周期
还在内部锁存器需要的地址和数据
编程和擦除操作。读出数据
该装置类似于读取来自其他闪存或
EPROM器件。
设备出现擦除通过执行擦除的COM
命令序列。这将启动
嵌入式擦除
算法的内部算法，可以自动
preprograms阵列（如果它尚未被编程）
前执行擦除操作。在擦除时，
设备自动倍擦除脉冲宽度和
验证正确的电池余量。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成，通过观察RY / BY ＃
销，或通过阅读DQ7 （数据＃投票）和DQ6
（切换）
状态位。
经过编程或擦除周期有
完毕后，该装置已准备好读取数组数据
或接受另一个命令。
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Am29BL162C
2005年7月8日
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