超前信息
Am29BDS640G
64兆位（4M ×16位）
CMOS 1.8伏只同步读/写，突发模式闪存
特色鲜明
架构优势
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单1.8伏读取，编程和擦除（ 1.65 〜1.95
伏）
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在0.17微米制程技术制造的
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增强VersatileIO ™ （V
IO
）功能
- 设备产生的数据的输出电压，并且能够忍耐
数据的输入电压由所述电压测定
在V
IO
针
- 1.8V和3V兼容的I / O信号
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同时读/写操作
- 数据可以不断地从一家银行，而读
执行擦除/编程功能的其他银行
•读取和写入操作之间的零延迟
- 四个银行的体系结构： 16兆/ 16兆/ 16兆/ 16兆
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可编程突发接口
- 2模式的突发读操作
- 线性突发： 8 ， 16 ，和32个字与环绕
- 连续顺序突发
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部门架构
- 8个8千字部门和126 32
千字行业
- 银行A和D分别含有4个8千字行业
和31 32 K字部门;银行B和C
每个含有32 32千字行业
- 八8K字引导扇区， 4处的顶部
地址范围，和4处的地址的底部
范围
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每个部门最少百万擦除周期保证
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20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
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80球FBGA封装
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突发模式阅读： 10毫安
同时操作： 25毫安
编程/擦除： 15毫安
待机模式： 0.2 μA
硬件特性
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扇区保护
- 软件命令锁业
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减少等待状态握手功能可用
- 提供主机系统以最小的可能的延迟
通过监控RDY
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硬件复位输入（ RESET ＃ ）
- 硬件的方法来重置设备读取阵列
数据
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WP ＃输入
- 写保护（ WP ＃ ）功能保护扇区0和1
（底部引导） ，或扇区132及133（顶部引导） ，
无论部门保护状态
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ACC输入：加速功能降低
编程时间;各界锁定时， ACC = V
IL
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CMOS兼容输入， CMOS兼容输出
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低V
CC
写禁止
软件特点
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支持通用闪存接口（ CFI ）
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软件指令集兼容JEDEC 42.4
标准
- 与Am29F和Am29LV向后兼容
族
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数据＃查询和翻转位
- 提供了检测程序软件的方法
和擦除操作完成
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擦除挂起/恢复
- 挂起擦除操作来读取数据，或
程序的数据，一个没有被擦除扇区，
然后恢复擦除操作
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解锁绕道程序命令
- 发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
性能退化特征
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读存取时间为54/40兆赫（ 30 pF的）
- 13.5 / 20 ns的突发访问时间
- 70 ns的异步随机存取时间
- 初始同步存取时间快87.5 / 95纳秒
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功耗（典型值，C
L
= 30 pF的）
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旨在帮助您评估该产品。 AMD保留对本建议修改权利或停止工作
产品，恕不另行通知。
出版＃
25903
启：
B
Amendment+0
发行日期：
2002年10月31日
请参考AMD的网站（ www.amd.com ）了解最新信息。
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