超前信息
Am29BDS640G
64兆位(4M ×16位)
CMOS 1.8伏只同步读/写,突发模式闪存
特色鲜明
架构优势
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单1.8伏读取,编程和擦除( 1.65 〜1.95
伏)
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在0.17微米制程技术制造的
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增强VersatileIO ™ (V
IO
)功能
- 设备产生的数据的输出电压,并且能够忍耐
数据的输入电压由所述电压测定
在V
IO
针
- 1.8V和3V兼容的I / O信号
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同时读/写操作
- 数据可以不断地从一家银行,而读
执行擦除/编程功能的其他银行
•读取和写入操作之间的零延迟
- 四个银行的体系结构: 16兆/ 16兆/ 16兆/ 16兆
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可编程突发接口
- 2模式的突发读操作
- 线性突发: 8 , 16 ,和32个字与环绕
- 连续顺序突发
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部门架构
- 8个8千字部门和126 32
千字行业
- 银行A和D分别含有4个8千字行业
和31 32 K字部门;银行B和C
每个含有32 32千字行业
- 八8K字引导扇区, 4处的顶部
地址范围,和4处的地址的底部
范围
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每个部门最少百万擦除周期保证
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20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
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80球FBGA封装
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突发模式阅读: 10毫安
同时操作: 25毫安
编程/擦除: 15毫安
待机模式: 0.2 μA
硬件特性
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扇区保护
- 软件命令锁业
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减少等待状态握手功能可用
- 提供主机系统以最小的可能的延迟
通过监控RDY
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硬件复位输入( RESET # )
- 硬件的方法来重置设备读取阵列
数据
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WP #输入
- 写保护( WP # )功能保护扇区0和1
(底部引导) ,或扇区132及133(顶部引导) ,
无论部门保护状态
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ACC输入:加速功能降低
编程时间;各界锁定时, ACC = V
IL
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CMOS兼容输入, CMOS兼容输出
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低V
CC
写禁止
软件特点
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支持通用闪存接口( CFI )
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软件指令集兼容JEDEC 42.4
标准
- 与Am29F和Am29LV向后兼容
族
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数据#查询和翻转位
- 提供了检测程序软件的方法
和擦除操作完成
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擦除挂起/恢复
- 挂起擦除操作来读取数据,或
程序的数据,一个没有被擦除扇区,
然后恢复擦除操作
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解锁绕道程序命令
- 发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
性能退化特征
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读存取时间为54/40兆赫( 30 pF的)
- 13.5 / 20 ns的突发访问时间
- 70 ns的异步随机存取时间
- 初始同步存取时间快87.5 / 95纳秒
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功耗(典型值,C
L
= 30 pF的)
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出版#
25903
启:
B
Amendment+0
发行日期:
2002年10月31日
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