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概述
该Am29BDS320G是32兆， 1.8伏只，同步读/写，突发
模式闪速存储器装置中，组织为每16比特2,097,152字。这
设备使用单个V
CC
1.65 〜1.95 V至读取，编程和擦除的MEM
储器阵列。该设备支持增强型V
IO
提供高达3V兼容输入
和输出。 12.0伏V
ID
可以用于更快的程序的性能，如果DE-
sired 。该设备还可以在标准EPROM编程器编程。
在54兆赫，该装置提供的13.5毫微秒，在30 pF的突发访问同一个延迟
87.5 ns的30 pF的。在40兆赫，该装置提供的20纳秒，在30突发访问
pF的为95纳秒，在30 pF的延迟。该设备的工业温范围内运行
温度范围内的-40 ° C至+ 85°C 。该器件采用64球FBGA
封装。
同时读/写架构提供
同时操作
通过将存储器空间划分为四个存储体。该装置可以整体提高
通过允许主机系统编程或擦除在一个银行系统的性能，
然后立即和同时从另一家银行看，零延迟。
这从等待完成编程或擦除的发布系统
操作。
该装置被划分为列于下表中：
银行
A
B
C
D
QUANTITY
4
15
16
16
15
4
SIZE
8 K字
32 K字
32 K字
32 K字
32 K字
8 K字
增强VersatileIO ™ （V
IO
）控制允许主机系统来设置电压
年龄等级，该装置产生在其数据输出端和电压耐受
在其数据输入端为相同的电压电平被置位在V
IO
引脚。这
允许装置根据需要在1.8伏和3伏的系统环境中进行操作。
该设备采用芯片使能（ CE ＃ ） ，写使能（ WE＃ ） ，地址有效（ AVD ＃ ）
和输出使能（ OE ＃ ）控制异步读取和写入操作。为
脉冲串操作中，装置还需要准备好（ RDY ）和时钟（CLK） 。
此实现可轻松实现以最小的胶合逻辑的广泛
微处理器/微控制器为高性能的读操作。
突发读取模式功能使系统设计人员灵活接口
该设备。用户可以预先设置脉冲串长度和包裹通过相同
存储器空间中，或读入连续模式的闪存阵列。
时钟极性功能为系统设计师提供有效时钟的选择
边缘，无论是上升或下降。有效时钟沿开始突发访问和
确定何时将数据输出。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC 42.4单
电源闪存标准。
命令被写入命令寄存器
用之三标准微处理器写时序。寄存器的内容作为输入
到内部的状态机，用于控制擦除和编程电路。
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Am29BDS320G
2003年27243B1 10月1日，
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