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中文ê （E T）
概述
该AM29LV400B是4兆， 3.0伏，仅限于Flash
内存组织为524,288字节或262,144
话。该器件采用48球FBGA封装， 44引脚
SO和48引脚TSOP封装。在字宽数据
（ X16 ）出现在DQ15 - DQ0 ;字节宽的（x8）数据
出现在DQ7 - DQ0 。此装置被设计成
仅使用一个3.0伏V在系统内编程
CC
供应量。无V
PP
需要写入或擦除操作
系统蒸发散。该设备还可以在标准编程
EPROM编程器。
该器件采用AMD的0.32微米制造亲
塞斯技术，并提供所有的功能和创造收益
适合的Am29LV400 ，将其用制备的
0 。 5 μ M·P ，R 0权证S S小T E C H N 0 1 Ø GY 。我N A D D I T I O N，T ^ h ê
AM29LV400B功能解锁绕道程序
而在系统部门保护/解除保护。
该标准的设备提供的55 ，70， 90的存取时间
和120纳秒，使高速微处理器
操作无需等待。为了消除总线conten-
和灰设备都有单独的芯片使能（ CE ＃ ），写
使能（ WE＃ ）和输出使能（ OE ＃ ）控制。
只有一个设备需要
单3.0伏电源支持
股
用于读取和写入功能。内部gener-
被提供给ated和稳压电压
编程和擦除操作。
该设备完全指令集兼容
该
JEDEC单电源闪存标准。
命令使用写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器可
帐篷作为输入到一个内部状态机
控制擦除和编程电路。写
循环内部也锁存地址和数据
所需的编程和擦除操作。
读出的数据的设备类似于阅读
其他Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法，自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。该
解锁绕道
模式设施
大老通过要求只有两个更快的编程时间
写周期编程数据，而不是四个。
设备出现擦除通过执行擦除的COM
命令序列。这将启动
嵌入式擦除
算法的内部算法，可以自动
预方案的阵列（如果它尚未被编程）
前执行擦除操作。在擦除，
自动装置倍擦除脉冲宽度
并验证正确的电池余量。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成，通过观察RY / BY ＃
销，或通过阅读DQ7 （数据＃投票）和DQ6
（切换）
状态位。
编程或擦除周期后，
已经完成时，该装置已准备好读取阵列
数据或接受另一个命令。
该
扇区擦除架构
允许内存节
器进行擦除和重新编程，而不影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在内存的部门的任何组合操作
ORY 。这可以在系统或通过编程来实现
明装。
该
擦除挂起
特征使用户能够把
清除搁置任何一段时间内读取数据，
或不选择程序数据，任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。
该
硬件RESET ＃引脚
终止任何操作
在进行中，内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET ＃引脚可以连接到
系统复位电路。系统复位将因此
还重置设备，使系统微处理器的
处理器读取Flash中的引导固件
内存。
该器件提供两种省电功能。当
地址已经稳定一段指定的量
时，器件进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备插入
待机模式。
功率消耗是很大的重
duced在这两种模式。
AMD的闪存技术，结合多年的闪光
内存制造经验，生产的
最高级别的质量，可靠性和成本效益。
该装置电擦除一个扇区内的所有位Si-所示
通过multaneously福勒- Nordheim隧穿。该数据是
用热电子注入编程。
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Am29LV400B
2006年21523D4 12月4日，
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