欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

S29GL064M90FFIR10 参数 Datasheet PDF下载

S29GL064M90FFIR10图片预览
型号: S29GL064M90FFIR10
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 3.0伏只页面模式闪存具有0.23微米的MirrorBit制程技术 [3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路
文件页数/大小: 160 页 / 4686 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
 浏览型号S29GL064M90FFIR10的Datasheet PDF文件第129页浏览型号S29GL064M90FFIR10的Datasheet PDF文件第130页浏览型号S29GL064M90FFIR10的Datasheet PDF文件第131页浏览型号S29GL064M90FFIR10的Datasheet PDF文件第132页浏览型号S29GL064M90FFIR10的Datasheet PDF文件第134页浏览型号S29GL064M90FFIR10的Datasheet PDF文件第135页浏览型号S29GL064M90FFIR10的Datasheet PDF文件第136页浏览型号S29GL064M90FFIR10的Datasheet PDF文件第137页  
P r e l i m i n a r y  
AC Characteristics  
Erase Command Sequence (last two cycles)  
Read Status Data  
VA  
tAS  
SA  
tWC  
VA  
Addresses  
CE#  
2AAh  
555h for chip erase  
tAH  
tCH  
OE#  
tWP  
WE#  
tWPH  
tWHWH2  
tCS  
tDS  
tDH  
In  
Data  
Complete  
55h  
30h  
Progress  
10 for Chip Erase  
tBUSY  
tRB  
RY/BY#  
VCC  
tVCS  
Notes:  
1. SA = sector address (for Sector Erase), VA = Valid Address for reading status data (see “Write Operation Status”.)  
2. Illustration shows device in word mode.  
Figure 18. Chip/Sector Erase Operation Timings  
April 30, 2004 S29GLxxxM_00A5  
S29GLxxxM MirrorBitTM Flash Family  
133  
 复制成功!