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S29GL064M90TFIR20 参数 Datasheet PDF下载

S29GL064M90TFIR20图片预览

型号：	S29GL064M90TFIR20
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	3.0伏只页面模式闪存具有0.23微米的MirrorBit制程技术 [3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology]
分类和应用：	闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小：	160 页 / 4686 K
品牌：	SPANSION [ SPANSION ]

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P r e l i m i n a r y

AC Characteristics

Temporary Sector Unprotect

Parameter

Description

JEDEC

Std

All Speed Options

Unit

t

V_IDRise and Fall Time (See Note)

Min

500

ns

VIDR

RESET# Setup Time for Temporary Sector

Unprotect

t

Min

4

µs

RSP

Notes:

1. Not 100% tested.

V_ID

V_ID

RESET#

V_SS, V_IL,

or V_IH

V_SS, V_IL,

or V_IH

t_VIDR

t_VIDR

Program or Erase Command Sequence

CE#

WE#

t_RRB

t_RSP

RY/BY#

Figure 22. Temporary Sector Group Unprotect Timing Diagram

136

S29GLxxxM MirrorBit^TMFlash Family

S29GLxxxM_00A5 April 30, 2004

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