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    MBM29DL324TE90TN 参数 Datasheet PDF下载

    MBM29DL324TE90TN图片预览
    型号： MBM29DL324TE90TN
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： FLASH存储器CMOS 32米（4 MX 8/2 MX 16 ）位双操作 [FLASH MEMORY CMOS 32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT Dual Operation]
    分类和应用： 存储
    文件页数/大小： 84 页 / 1272 K
    品牌： SPANSION [ SPANSION ]
     浏览型号MBM29DL324TE90TN的Datasheet PDF文件第47页浏览型号MBM29DL324TE90TN的Datasheet PDF文件第48页浏览型号MBM29DL324TE90TN的Datasheet PDF文件第49页浏览型号MBM29DL324TE90TN的Datasheet PDF文件第50页浏览型号MBM29DL324TE90TN的Datasheet PDF文件第52页浏览型号MBM29DL324TE90TN的Datasheet PDF文件第53页浏览型号MBM29DL324TE90TN的Datasheet PDF文件第54页浏览型号MBM29DL324TE90TN的Datasheet PDF文件第55页  
    MBM29DL32XTE/BE80/90  
    ■ MAXIMUM OVERSHOOT/MAXIMUM UNDERSHOOT  
    20 ns  
    20 ns  
    +0.6 V  
    −0.5 V  
    −2.0 V  
    20 ns  
    Maximum Undershoot Waveform  
    20 ns  
    VCC + 2.0 V  
    VCC + 0.5 V  
    +2.0 V  
    20 ns  
    20 ns  
    Maximum Overshoot Waveform 1  
    20 ns  
    +14.0 V  
    +13.0 V  
    VCC + 0.5 V  
    20 ns  
    20 ns  
    Note : This waveform is applied for A9, OE, and RESET.  
    Maximum Overshoot Waveform 2  
    51  

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