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    MBM29DL161TE-70TN 参数 Datasheet PDF下载

    MBM29DL161TE-70TN图片预览
    型号： MBM29DL161TE-70TN
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 闪存的CMOS 16M （ 2M ×8 / 1M ×16 ）位双操作 [FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation]
    分类和应用： 闪存存储内存集成电路光电二极管
    文件页数/大小： 76 页 / 1048 K
    品牌： SPANSION [ SPANSION ]
     浏览型号MBM29DL161TE-70TN的Datasheet PDF文件第68页浏览型号MBM29DL161TE-70TN的Datasheet PDF文件第69页浏览型号MBM29DL161TE-70TN的Datasheet PDF文件第70页浏览型号MBM29DL161TE-70TN的Datasheet PDF文件第71页浏览型号MBM29DL161TE-70TN的Datasheet PDF文件第72页浏览型号MBM29DL161TE-70TN的Datasheet PDF文件第74页浏览型号MBM29DL161TE-70TN的Datasheet PDF文件第75页浏览型号MBM29DL161TE-70TN的Datasheet PDF文件第76页  
    MBM29DL16XTE/BE70/90  
    MBM29DL16X  
    T
    E
    70  
    TN  
    PACKAGE TYPE  
    TN = 48-Pin Thin Small Outline Package  
    (TSOP) Standard Pinout  
    TR = 48-Pin Thin Small Outline Package  
    (TSOP) Reverse Pinout  
    PBT = 48-Pin Fine pitch Ball Grid Array  
    Package (FBGA)  
    SPEED OPTION  
    See Product Selector Guide  
    DEVICE REVISION  
    BOOT CODE SECTOR ARCHITECTURE  
    T = Top sector  
    B = Bottom sector  
    DEVICE NUMBER/DESCRIPTION  
    MBM29DL16X  
    16 Mega-bit (2 M × 8-Bit or 1 M × 16-Bit) CMOS Flash Memory  
    3.0 V-only Read, Program, and Erase  
    73  

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