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    MBM29DL161TE-70TN 参数 Datasheet PDF下载

    MBM29DL161TE-70TN图片预览
    型号： MBM29DL161TE-70TN
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 闪存的CMOS 16M （ 2M ×8 / 1M ×16 ）位双操作 [FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation]
    分类和应用： 闪存存储内存集成电路光电二极管
    文件页数/大小： 76 页 / 1048 K
    品牌： SPANSION [ SPANSION ]
     浏览型号MBM29DL161TE-70TN的Datasheet PDF文件第58页浏览型号MBM29DL161TE-70TN的Datasheet PDF文件第59页浏览型号MBM29DL161TE-70TN的Datasheet PDF文件第60页浏览型号MBM29DL161TE-70TN的Datasheet PDF文件第61页浏览型号MBM29DL161TE-70TN的Datasheet PDF文件第63页浏览型号MBM29DL161TE-70TN的Datasheet PDF文件第64页浏览型号MBM29DL161TE-70TN的Datasheet PDF文件第65页浏览型号MBM29DL161TE-70TN的Datasheet PDF文件第66页  
    MBM29DL16XTE/BE70/90  
    (17) Extended Sector Group Protection Timing Diagram  
    VCC  
    tVCS  
    VID  
    tVLHT  
    RESET  
    tVIDR  
    tWC  
    tWC  
    Address  
    A6, A0  
    SPAX  
    SPAX  
    SPAY  
    A1  
    CE  
    OE  
    TIME-OUT  
    tWP  
    WE  
    Data  
    60h  
    60h  
    40h  
    01h  
    60h  
    tOE  
    SPAX : Sector Group Address to be protected  
    SPAY : Next Sector Group Address to be protected  
    TIME-OUT : Time-Out window = 250 µs (Min)  
    Note : A-1 is VIL on byte mode.  
    62  

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