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AM26LV400BB-55RFD 参数 Datasheet PDF下载

AM26LV400BB-55RFD图片预览
型号: AM26LV400BB-55RFD
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内容描述: 4兆位( 512K的×8位/ 256千×16位) CMOS 3.0伏只引导扇区闪存 [4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 48 页 / 1129 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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D A T A S H E E T  
AC CHARACTERISTICS  
Erase/Program Operations  
Parameter  
Speed Options  
JEDEC  
tAVAV  
Std  
tWC  
tAS  
Description  
55R  
70  
90  
120  
Unit  
ns  
Write Cycle Time (Note 1)  
Address Setup Time  
Address Hold Time  
Data Setup Time  
Min  
Min  
Min  
Min  
Min  
Min  
55  
70  
90  
120  
tAVWL  
tWLAX  
tDVWH  
tWHDX  
0
ns  
tAH  
45  
35  
45  
35  
45  
45  
50  
50  
ns  
tDS  
ns  
tDH  
tOES  
Data Hold Time  
0
0
ns  
Output Enable Setup Time  
ns  
Read Recovery Time Before Write  
(OE# High to WE# Low)  
tGHWL  
tGHWL  
Min  
0
ns  
tELWL  
tWHEH  
tWLWH  
tWHWL  
tCS  
tCH  
tWP  
tWPH  
CE# Setup Time  
Min  
Min  
Min  
Min  
Typ  
Typ  
Typ  
Min  
Min  
Max  
0
0
ns  
ns  
ns  
ns  
CE# Hold Time  
Write Pulse Width  
Write Pulse Width High  
35  
35  
35  
50  
30  
9
Byte  
tWHWH1  
tWHWH2  
tWHWH1 Programming Operation (Note 2)  
µs  
Word  
11  
0.7  
50  
0
tWHWH2 Sector Erase Operation (Note 2)  
sec  
µs  
tVCS  
tRB  
VCC Setup Time (Note 1)  
Recovery Time from RY/BY#  
ns  
tBUSY Program/Erase Valid to RY/BY# Delay  
90  
ns  
Notes:  
1. Not 100% tested.  
2. See the “Erase And Programming Performance” section for more information.  
December 4, 2006 21523D4  
Am29LV400B  
31