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     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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    IMBF170R450M1

     CoolSiC™ 1700 V, 450 mΩ SiC MOSFET采用TO-263-7增大爬电距离，针对反激式拓扑结构进行了优化，适用于众多电力应用场合下接入直流母线电压600 V至1000 V的辅助电源。
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    GRM1552C2A430GA01#

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    FGHL50T65SQ

     IGBT 650V FS4 高速版，适用于采用 TO-247 封装的 PFC 应用
    双极性晶体管功率因数校正
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    GQM22M5C2H470GB01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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    IRS25751L

     EiceDRIVER™ 480 V 启动驱动器 IC，具有典型的 0 A 拉电流和 0 A 灌电流，采用 5 引脚 SOT23 封装，适用于 IGBT 和 MOSFET。
    驱动双极性晶体管驱动器
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    IPW60R031CFD7

     600V CoolMOS™ CFD7 是英飞凌最新具有集成快速体二极管的高压 superjunction MOSFET 技术，补全了 CoolMOS™ 7 系列。 该 CoolMOS™ CFD7 拥有更低的栅极电荷(Qg)和更好的关断性能。此外，其反向恢复电荷(Qrr)比市场上的竞争性产品低 69% 之多，且具有市场上最短的反向恢复时间(trr)。
    局域网栅高压开关脉冲晶体管二极管栅极
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    GRM1882C1H4R3WA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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    GJM0335G2AR60WB01#

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    GRM55RR71H474KA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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    FF6MR12W2M1_B70

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