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    2N7002PT 参数 Datasheet PDF下载

    2N7002PT图片预览
    型号： 2N7002PT
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道增强型场效应晶体管 - 0.25Amp 60Volt [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor - 0.25Amp 60Volt]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管
    文件页数/大小： 5 页 / 180 K
    品牌： SIRECT [ Sirectifier Global Corp. ]
     浏览型号2N7002PT的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2N7002PT的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2N7002PT的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2N7002PT的Datasheet PDF文件第5页  
    2N7002PT
    □
    电气特性
    参数
    开关特性
    漏源击穿电压
    零栅极电压漏极电流
    门体泄漏，正向
    门体泄漏，反向
    基本特征
    （注1 ）
    栅极阈值电压
    Ststic漏源导通电阻
    V
    GS （ TH）
    R
    DS （ ON）
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 250μA
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    = 250毫安
    V
    GS
    = 4V ，我
    D
    = 100毫安
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    = 500毫安
    V
    GS
    = 5V ，我
    D
    = 50毫安
    V
    GS
    = 10V, V
    DS
    = 7.5V
    DS （ ON）
    V
    GS
    = 4.5V, V
    DS
    = 10V
    DS （ ON）
    V
    DS
    = 15V
    DS （ ON）
    , I
    D
    = 200毫安
    800
    500
    1.0
    2.0
    1.7
    2.5
    0.6
    0.09
    1800
    700
    250
    2.5
    3.0
    4.0
    3.75
    1.5
    V
    Ω
    BV
    DSS
    I
    DSS
    I
    GSSF
    I
    GSSR
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    = 10μA
    V
    DS
    = 60V, V
    GS
    = 0V
    V
    GS
    = 15V, V
    DS
    = 0V
    V
    GS
    = -15V, V
    DS
    = 0V
    60
    70
    1
    10
    -10
    V
    μA
    nA
    nA
    符号
    条件
    分钟。
    典型值。
    马克斯。
    单位
    漏源电压
    V
    DS （ ON）
    V
    通态漏电流
    正向跨导
    动态特性
    总栅极电荷
    栅极 - 源电荷
    门上过度充电
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    开启时间
    I
    D（上）
    g
    FS
    mA
    mS
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    t
    on
    t
    r
    V
    DD
    = 30V ，R
    L
    = 200Ω,
    I
    D
    = 100mA时V
    GS
    = 10V,
    R
    根
    = 10Ω
    V
    DD
    = 30V ，R
    L
    = 200Ω,
    I
    D
    = 100mA时V
    GS
    = 10V,
    R
    根
    = 10Ω
    V
    DS
    = 25V, V
    GS
    = 0V,
    F = 1.0MHz的
    V
    DS
    = 30V, V
    GS
    = 10V,
    I
    D
    = 200毫安
    0.6
    0.06
    0.06
    25
    6
    1.2
    7.5
    6
    7.5
    3
    1.0
    25
    5
    50
    25
    5
    20
    nS
    20
    nS
    pF
    nC
    关断时间
    t
    关闭
    t
    f
    漏源二极管的特性和最大额定值
    最大连续漏源
    二极管的正向电流
    最大脉冲漏源极二极管
    正向电流
    漏源二极管的正向电压
    I
    S
    115
    mA
    I
    SM
    V
    SD
    V
    GS
    = 0V时，我
    S
    = 200毫安
    0.85
    0.8
    1.2
    A
    V
    注意：
    .1.Pulse
    测试：脉冲宽度< 300
    μs,
    占空比< 2.0 ％

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