MBR860 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MBR860
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内容描述：	肖特基势垒二极管肖特基势垒二极管，高结温低漏电流肖特基势垒二极管高TJM低IRRM肖特基势垒二极管， TJ = -65 ° C〜 175 ° C， TJM = 175 ℃。 [肖特基势垒二极管Schottky Barrier Diodes，高结温低漏电流肖特基势垒二极管High Tjm Low IRRM Schottky Barrier Diodes，Tj = -65°C ~ 175°C, Tjm = 175°C。]
分类和应用：	二极管瞄准线功效局域网
文件页数/大小：	2 页 / 84 K
品牌：	SIRECTIFIER [ SIRECTIFIER SEMICONDUCTORS ]

MBR850 thru MBR860

Wide Temperature Range and High Tjm Schottky Barrier Rectifiers

FIG.1 - FORWARD CURRENT DERATING CURVE

FIG.2 - MAXIMUM NON-REPETITIVE SURGE CURRENT

150

125

100

RESISTIVE OR

INDUCTIVE LOAD

8.3ms Single Half-Sine-Wave

(JEDEC METHOD)

NUMBER OF CYCLES AT 60Hz

100

125

150

175

100

CASE TEMPERATURE , C

FIG.3 - TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS

FIG.4 - TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS

100

= 125 C

1.0

0.1

1.0

0.1

0.01

T = 25 C

PULSE WIDTH 300us

2% Duty cycle

0.001

140

100

120

1.4

1.6

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.8

INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE , VOLTS

PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE ,(%)

FIG.5 - TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE

1000

100

T = 25 C, f= 1MHz

0.1

REVERSE VOLTAGE , VOLTS

100

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