MBR20100CT 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MBR20100CT
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内容描述：	肖特基势垒二极管肖特基势垒二极管，高结温低漏电流肖特基势垒二极管高TJM低IRRM肖特基势垒二极管， TJ = -65 ° C〜 175 ° C， TJM = 175 ℃。 [肖特基势垒二极管Schottky Barrier Diodes，高结温低漏电流肖特基势垒二极管High Tjm Low IRRM Schottky Barrier Diodes，Tj = -65°C ~ 175°C, Tjm = 175°C。]
分类和应用：	二极管局域网
文件页数/大小：	2 页 / 105 K
品牌：	SIRECTIFIER [ SIRECTIFIER SEMICONDUCTORS ]

MBR20100CT

Wide Temperature Range and High T

Schottky Barrier Rectifiers

100

T =175°C

150°C

125°C

100°C

175°C

150°C

125°C

25°C

1000

0.1

100

0.01

50°C

75°C

0.001

25°C

= 25°C

0.0

0.0001

0.2

0.4

0.6

0.8 1.0 V 1.2

80 V 100

Fig. 1 Maximum forward voltage

drop characteristics

F(AV)

d=0.5

Fig. 2 Typ. value of reverse current I

versus reverse voltage V

(AV)

0.5

0.33

0.25

0.17

0.08

Fig. 3 Typ. junction capacitance C

versus reverse voltage V

120

160°C

20 25

F(AV)

Fig. 4 Average forward current I

F(AV)

versus case temperature T

Fig. 5 Forward power loss

characteristics

K/W

thJC

D=0.5

0.33

0.25

0.17

0.08

0.1

Single Pulse

(Thermal Resistance)

DSSK 16-01A

0.01

0.0001

0.001

0.01

0.1

Fig. 6 Transient thermal impedance junction to case at various duty cycles

Note: All curves are per Diode

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