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BTB06-1000 参数 Datasheet PDF下载

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型号: BTB06-1000
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内容描述: 双向可控硅双向可控硅,分立式双向可控硅(非绝缘式)离散双向可控硅(非隔离) 。 [双向可控硅Triacs,分立式双向可控硅(非绝缘式)Discrete Triacs (Non-Isolated).]
分类和应用: 可控硅
文件页数/大小: 4 页 / 341 K
品牌: SIRECTIFIER [ SIRECTIFIER SEMICONDUCTORS ]
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BTB/BTA06  
Discrete Triacs(Non-Isolated/Isolated)  
Fig. 7: R elative variation of gate trigger current,  
holding current and latching current versus  
junction temperature (typical values).  
Fig. -81: R elative variation of critical rate of  
decrease of main current versus (dV/dt)c (typical  
values). S nubberless & Logic Level Types  
IGT,IH,IL[Tj] / IG,TIH,IL [Tj=25°C]  
2.5  
(dI/dt)c [(dV/dt)c] / S pecified (dI/dt)c  
2.4  
2.2  
2.0  
1.8  
2.0  
IGT  
1.6  
1.4  
TW  
1.5  
S W  
BW/CW  
1.2  
IH & IL  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
1.0  
0.5  
(dV/dt)c (V/µs )  
0.2  
Tj(°C)  
40 60  
0.0  
0.0  
-40 -20  
0.1  
1.0  
10.0  
100.0  
0
20  
80 100 120 140  
Fig. -28: R elative variation of critical rate of  
decrease of main current versus (dV/dt)c (typical  
values). S tandard Types  
Fig. : 9R elative variation of critical rate of  
decrease of main current versus junction  
temperature.  
(dI/dt)c [Tj] / (dI/dt)c [Tj s pecified]  
6
(dI/dt)c [(dV/dt)c] / S pecified (dI/dt)c  
2.0  
1.8  
C
5
4
3
2
1.6  
1.4  
B
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
1
0.2  
0.0  
(dV/dt)c (V/µs )  
1.0  
Tj(°C)  
0
0.1  
10.0  
100.0  
0
25  
50  
75  
100  
125