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BTA26-600 参数 Datasheet PDF下载

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型号: BTA26-600
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内容描述: [Discrete Triacs]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 373 K
品牌: SIRECTIFIER [ SIRECTIFIER SEMICONDUCTORS ]
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BTA26  
Discrete Triacs(Isolated)  
-
Fig. 1 Maximum power dissipation versus R MS  
:
F ig. 2 : R MS on-state current versus case  
on-state current (full cycle).  
temperature (full cycle).  
IT(R MS ) (A)  
30  
P
(W)  
30  
25  
20  
15  
10  
5
25  
20  
B TA26  
15  
10  
5
Tc(°C )  
IT(R MS ) (A)  
10 15  
0
0
0
25  
50  
75  
100  
125  
0
5
20  
25  
:
F ig.3 R elative variation of thermal impedance  
versus pulse duration.  
Fig. 4 :  
values).  
On-state characteristics (maximum  
ITM (A)  
300  
100  
K =[Zth/R th]  
1E +0  
Tj max  
Zth(j-c)  
1E -1  
Zth(j-a)  
BTA/BTB24/T25  
10  
1
Tj=25°C  
1E -2  
Zth(j-a)  
BTA26  
Tj max.  
Vto 0.8V5  
R d 16 m  
=
=
VTM (V)  
2.5  
tp (s )  
1E +0  
0.5  
1.0  
1.5  
2.0  
3.0  
3.5  
4.0  
4.5  
1E -3  
1E -3  
1E -2  
1E -1  
1E +1  
1E +2 5E +2  
Fig. 6: Non-repetitive surge peak on-state  
current for sinusoidal pulse with width  
tp < 10ms, and corresponding value of I²t.  
F ig. 5: S urge peak on-state current versus  
number of cycles.  
a
ITS M (A)  
300  
ITS M (A),  
I²t (A²s )  
3000  
1000  
250  
t=20ms  
Tj initial=25°C  
One cycle  
Non repetitive  
Tj initial=25°C  
200  
dI/dt limitation:  
50A/µs  
150  
R epetitive  
Tc=75°C  
ITS M  
100  
50  
Number of yccles  
I²t  
0
tp (ms )  
1
10  
100  
1000  
100  
0.01  
0.10  
1.00  
10.00  
P3  
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