3TA80GKXXNB 参数 Datasheet PDF下载

型号：	3TA80GKXXNB
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内容描述：	三相半桥 [Three Phase Half Bridge]
分类和应用：
文件页数/大小：	3 页 / 607 K
品牌：	SIRECTIFIER [ SIRECTIFIER SEMICONDUCTORS ]

3TA80GKxxNB

Three Phase Half Bridge

Symbol

Test Conditions

Unit

min.

typ.

max.

IDRM

IRRM

at VDRM, single phase, half wave, Tj=150^oC

On-State Current 240A, Tj=25^oC Inst. measurement

VTM

1.20

mA/V

IGT/VGT Tj=25^oC, IT=1A, VD=6V

Tj=150^oC, VD=1/2VDRM

0.25

500

VGD

IT=80A, IG=200mA, Tj=25^oC, VD=1/2VDRM, dIG/dt=1A/us

Tj=150^oC, VD=2/3VDRM, Exponential wave

Tj=25^oC

tgt

V/us

dv/dt

100

^oC/W

Junction to case (1/3 Module)

RthJC

0.35

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