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BTA26图片预览
型号: BTA26
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内容描述: 离散双向可控硅(非隔离/隔离) [Discrete Triacs(Non-Isolated/Isolated)]
分类和应用: 可控硅
文件页数/大小: 4 页 / 266 K
品牌: SIRECT [ Sirectifier Global Corp. ]
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BTB/BTA26  
Discrete Triacs(Non-Isolated/Isolated)  
Fig. 6: Non-repetitive surge peak on-state  
current for sinusoidal pulse with width  
tp < 10ms, and corresponding value of I²t.  
Fig. 7: R elative variation of gate trigger current,  
holding current and latching current versus  
junction temperature (typical values).  
a
IGT,IH,IL[Tj] / IG,TIH,IL [Tj=25°C]  
2.5  
ITS M (A),It² (As² )  
3000  
Tj initial=25°C  
2.0  
dI/dt limitation:  
50A/µs  
IGT  
1000  
1.5  
IH & IL  
ITS M  
I²t  
1.0  
0.5  
Tj(°C)  
tp (ms )  
0.0  
100  
0.01  
-40 -20  
0
20  
40  
60  
80 100 120 140  
0.10  
1.00  
10.00  
Fig. 8: R elative variation of critical rate of  
decrease of main current versus (dV/dt)c (typical  
values).  
Fig. 9: R elative variation of critical rate of  
decrease of main current versus junction  
temperature.  
(dI/dt)c [Tj] / (dI/dt)c [Tj s pecified]  
(dI/dt)c [(dV/dt)c] / S pecified (dI/dt)c  
2.4  
6
2.2  
2.0  
1.8  
1.6  
1.4  
1.2  
1.0  
0.8  
5
4
3
2
1
0
BW/CW/T2535  
B
0.6  
Tj (°C)  
(dV/dt)c (V/µs )  
0.4  
0.1  
1.0  
10.0  
100.0  
0
25  
50  
75  
100  
125