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SLD-68E1 参数 Datasheet PDF下载

SLD-68E1图片预览
型号: SLD-68E1
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内容描述: 平面光电二极管 [Planar Photodiode]
分类和应用: 光电二极管光电二极管
文件页数/大小: 1 页 / 37 K
品牌: SILONEX [ SILONEX INC. ]
   
SLD-68E1
平面光电二极管
特点
平面光电二极管
低电容
快速开关时间
低漏电流
线性响应VS辐射
TO- 46底座环氧圆顶透镜
提供多个暗电流范围
描述
这是平面的,钝化硅光电探测器是
设计无论是光伏还是反向操作
偏置模式,以提供快速的低电容
开关速度。它提供了出色的线性度
输出信号与光强度。低暗电流
和低电容使之成为理想的检测快速
上升时间的应用程序。
绝对最大额定值
储存温度
工作温度
焊接温度( 3 )
25分钟。
2.8 MAX 。
45°
ø 5.33
4.22
0.41 - 0.48
2.54
芯片尺寸= 1.7毫米× 1.7毫米
有效面积为2.0平方毫米
尺寸(mm) 。公差: ±0.13
阳极+
阴极 -
(常见到外壳)
定向灵敏度特性
40°
50°
30°
20°
10°
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
半角= 40°
60°
-20 ° C至+ 75°C
-20 ° C至+ 75°C
260°C
70°
80°
90°
100°
1.0
注:( 1 ) EE =光源@ 2854
°K
( 2 ) EE =光源@
λ
= 880 nm的
( 3 ) >2毫米从案例<5秒。
0.8
0.6
0.4
20°
40°
60°
80°
100° 120°
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
符号
参数
典型值
I
SC
短路电流
150
225
V
OC
开路电压
0.40
I
D
反向暗电流:
SLD-68E1A
SLD-68E1B
SLD-68E1C
SLD-68E1D
SLD-68E1E
C
J
结电容
40
t
R
上升时间
1.0
t
F
下降时间
1.5
TC
I
温度。 COEF 。我
SC
+0.2
V
BR
反向击穿电压
50
最高灵敏度波长
930
λ
P
灵敏度光谱范围
400
λ
R
验收半角
40
θ
1/2
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
最大
单位
测试条件
2
V
R
= 0V , EE = 25mW的/厘米(1)
µA
2
V
Ee=25mw/cm
(1)
nA
nA
nA
nA
pA
pF
µs
µs
%/°C
V
nm
nm
V
R
= 100mV的, EE = 0
V
R
= 5V , EE = 0
V
R
= 5V , EE = 0
V
R
= 5V , EE = 0
V
R
= 5V , EE = 0
V
R
= 0, EE = 0中,f = 1MHz的
V
R
= 10V ,R
L
=1kΩ (2)
V
R
= 10V ,R
L
=1kΩ (2)
(1)
I
R
=100µA
100
100
10
1
250
1100
(离中心线)
103189 REV 0
5200圣帕特里克街,蒙特利尔
阙, H4E 4N9 ,加拿大
联系电话: 514-768-8000
传真: 514-768-8889
QF-84
旧铁路,王子街
阿尔弗斯顿,坎布里亚郡, LA12 7NQ ,英国
联系电话: 01 229 581 551
传真: 01 229 581 554