Si8440/41/42/45
表3.电气特性（续）
(V
DD1
= 5 V ±10%, V
DD2
= 5 V± 10 ％ ，T
A
= -40〜 125 ºC ;适用于窄和宽体SOIC封装）
参数
Si844xBx
最大数据速率
最小脉冲宽度
传播延迟
脉冲宽度失真
|t
PLH
- t
PHL
|
传播延迟偏斜
通道间的偏移
所有型号
输出上升时间
输出下降时间
共模瞬变
免疫
启用到数据有效
3
启用以数据三态
3
启动时间
符号
测试条件
民
0
—
典型值
—
—
6.0
1.5
2.0
0.5
3.8
2.8
25
5.0
7.0
15
最大
150
6.0
9.5
2.5
3.0
1.8
5.0
3.7
—
8.0
9.2
40
单位
Mbps的
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
KV / μs的
ns
ns
µs
t
PHL
, t
PLH
PWD
t
PSK（ P-P ）
t
PSK
t
r
t
f
CMTI
t
en1
t
en2
t
SU
见图2
见图2
3.0
—
—
—
C
L
= 15 pF的
见图2
C
L
= 15 pF的
见图2
V
I
= V
DD
或0 V
见图1
见图1
—
—
—
—
—
—
注意事项：
1.
隔离器驱动信道的标称输出阻抗是约85
,
± 40％，这是一个组合
该输出驱动FET的芯片上串联端接电阻和沟道电阻的值。当驱动负载
那里的传输线效应将是一个因素，输出引脚应适当封端的具有受控
阻抗PCB走线。
2.
t
PSK（ P-P ）
在传播延迟时间的差的大小，在操作不同的单元之间测量
相同的电源电压，负载和环境温度。
3.
请参阅第25页上的"3.勘误和设计移植Guidelines"了解更多详情。
4.
启动时间是从功率的应用，以有效的数据在输出端上的时间周期。
REV 。 1.5
7
SILICONIMAGE [ Silicon image ]
