4节 / 5节电池串联用电池保护IC
S-8205A/B系列
Rev.1.3_00
6. 充电过电流状态
S-8205A/B系列当充电电流达到所定值以上、且VINI端子电压降到VCIOV以下时，CO端子将变为高阻抗。这种状态称
为充电过电流状态。此时充电控制用FET变为OFF，并停止充电。在充电过电流状态时，DO端子的电压在VSS电位
上。因VM − VDD间的电阻 (RVMD)，VM端子被RVMD上拉至VDD电位。
充电过电流状态在满足下述的条件时被解除。
(1) CO端子电压在1 / 50 × VDS (典型值) 以上时。
7. 向0 V电池充电功能
S-8205A/B系列对自我放电电池 (0 V电池) 的充电，可以从2个功能中选择一个。
(1) 允许向0 V电池充电。
充电器电压高于开始向0 V电池充电电压 (V0CHA) 时，0 V电池被充电。
(2) 禁止向0 V电池充电。
任意一个电池电压低于禁止向0 V电池充电电压 (V0INH) 时，不进行充电。
注意 当VDD端子的电压低于VDD − VSS间的工作电压 (VDSOP) 的最小值时，不保证S-8205A/B系列的工作。
8. 延迟时间的设置
S-8205A/B系列可以从检测到任意一个电池电压或者VINI端子的电压变化开始到向CO端子、DO端子进行输出之间，
设置延迟时间。各种延迟时间由IC内部的电阻与外接电容决定。
在过充电检测状态下，当任意一个电池电压在VCUn以上时，通过CCT端子内部电阻 (RCCT) 可向CCT端子电容 (CCCT
)
进行充电。经过一段时间，当CCT端子电压达到CCT端子检测电压 (VCCT) 后，则CO端子变为高阻抗。经过的时间
即为过充电检测延迟时间 (tCU)。
tCU可以通过下列公式算出。(VDS = V1 + V2 + V3 + V4 + V5)
tCU [s] = −In (1 − VCCT / VDS) × CCCT [µF] × RCCT [MΩ] (典型值)
= −In (1 − 0.7 (典型值)) × CCCT [µF] × 8.31 [MΩ] (典型值)
= 10.0 [MΩ] (典型值) × CCCT [µF]
同样，放电过检测延迟时间 (tDL)、放电过电流检测延迟时间 (tDIOV)、充电过电流检测延迟时间 (tCIOV) 可以通过下
列公式算出。
tDL [ms] = −In (1 − VCDT / VDS) × CCDT [µF] × RCDT
tDIOV [ms] = −In (1 − VCIT / VDS) × CCIT [µF] × RCIT
tCIOV [ms] = −In (1 − VCIT / VDS) × CCIT [µF] × RCIT
[
k
Ω]
Ω]
Ω]
[
[
k
k
当CCCT = CCDT = CCIT = 0.1 [µF]时，各延迟时间tCU、tDL、tDIOV、tCIOV可由下列公式算出。
tCU [s] = 10.0 [MΩ] (典型值) × 0.1 [µF] = 1.0 [s] (典型值)
tDL [ms] = 1000 [kΩ] (典型值) × 0.1 [µF] = 100 [ms] (典型值)
tDIOV [ms] = 200 [kΩ] (典型值) × 0.1 [µF] = 20 [ms] (典型值)
tCIOV [ms] = 200 [kΩ] (典型值) × 0.1 [µF] = 20 [ms] (典型值)
负载短路检测延迟时间 (tSHORT) 在内部被固定。
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