SE2525L
RangeCharger ™ 2.4GHz的功率放大器与功率检测器
初步信息
典型性能特性
条件： V
CC
= V
EN
= 3.3 V ， F = 2.45千兆赫，V
B
连接到V
REG
, T
A
= 25 ° C，测得的硅锗
安森美半导体的SE2525L - EV1评估板，除非另有说明
一般
VDET与输出功率（模型正斜率）
外部耦合
2
1.8
1.6
1.4
VDET与输出功率（负斜率）
外部耦合
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
内部耦合
内部耦合
VDET （ V）
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
7
9
11
13
15
17
19
21
23
25
27
VDET （ V）
1.2
7
9
11
13
15
17
19
21
23
25
输出功率（dBm ）
输出功率（dBm ）
图5 ： SE2525L电源检测器的响应（正斜率，负斜率）
输出功率，国际商会与CW输入功率扫描与频率的关系
噘嘴2400兆赫
国际刑事法院2400兆赫
30
噘嘴2450兆赫
国际刑事法院2450兆赫
噘嘴2500兆赫
国际刑事法院2500兆赫
第二，第三谐波与输出功率与频率的关系
二阶谐波2400兆赫
三次谐波2400兆赫
二阶谐波2450兆赫
三次谐波2450兆赫
二阶谐波2500兆赫
三次谐波2500兆赫
0.6
0.5
-20
-25
25
-30
20
0.4
ICC（ A）
谐波（DBM /兆赫）
输出功率（dBm ）
-35
-40
-45
-50
-55
-60
15
0.3
10
0.2
0.1
5
0
-25
-23
-21
-19
-17
-15
-13
-11
-9
-7
-5
-3
0
-65
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
输入功率（dBm ）
输出功率（dBm ）
图6 ： SE2525L CW扫描和第二，第三谐波
28-DST-01
修订版2.1
Apr-25-2006
机密
QA042506
8 12
SIGE [ SIGE SEMICONDUCTOR, INC. ]
