LD 271, LD 271 H
LD 271 L, LD 271 HL
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Spektrale Bandbreite bei 50 % von
I
max
Spectral bandwidth at 50 % of
I
max
I
F
= 100 mA
Abstrahlwinkel
Half angle
Aktive Chipfläche
Active chip area
Abmessungen der aktive Chipfläche
Dimensions of the active chip area
Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
Distance chip front to lens top
Schaltzeiten,
I
e
von 10 % auf 90 % und von
90 % auf 10 %, bei
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Ω
Switching times,
I
e
from 10 % to 90 % and
from 90 % to 10 %,
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Ω
Kapazität,
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
Capacitance
Durchlaßspannung
Forward voltage
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µs
Sperrstrom,
V
R
= 5 V
Reverse current
Gesamtstrahlungsfluß
Total radiant flux
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Temperaturkoeffizient von
I
e
bzw.
Φ
e
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
I
e
or
Φ
e
,
I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
λ,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
λ,
I
F
= 100 mA
Symbol
Symbol
λ
peak
Wert
Value
950
Einheit
Unit
nm
∆λ
55
nm
ϕ
±
25
0.25
0.5
×
0.5
4.0 ... 4.6
1
Grad
deg.
mm
2
mm
mm
µs
A
L
×
B
L
×
W
H
t
r
,
t
f
C
o
40
pF
V
F
V
F
I
R
Φ
e
1.30
(≤
1.5)
1.90
(≤
2.5)
0.01
(≤
1)
18
V
V
µA
mW
TC
I
– 0.55
%/K
TC
V
TC
λ
– 1.5
0.3
mV/K
nm/K
Semiconductor Group
3
1997-11-01
SIEMENS [ Siemens Semiconductor Group ]
