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    F20W60C3 参数 Datasheet PDF下载

    F20W60C3图片预览
    型号： F20W60C3
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 功率MOSFET [Power MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管开关脉冲局域网
    文件页数/大小： 2 页 / 156 K
    品牌： SHINDENGEN [ SHINDENGEN ELECTRIC MFG.CO.LTD ]
     浏览型号F20W60C3的Datasheet PDF文件第1页  
    F0 0 3
    2 W6 ç
    ■特性図
    出力特性
    ４
    ０
    ３
    ５
    C A为T RS I DA ř MS
    H·R权证ITC IG一
    伝達特性
    ドレイン �½ース間オン抵抗─
    ・
    ドレイン電流
    典型的输出特性
    １Ｖ
    ０
    ８
    Ｖ
    ６
    Ｖ
    Tc=25℃
    典型值
    脉冲测量
    传输特性
    ４
    ０
    ３
    ５
    Ｔ =− ５
    �½�
    ５℃
    ２℃
    ５
     ０
    ℃
    １
    ０
    静态漏源导静电电阻与漏电流
    静态漏源通态阻抗R
    DS （ ON）
    〔Ω〕
    １
    ０
    ５
    ２
    １
    ０
    ．
    ５
    ０
    ．
    ２
    ０
    ．
    １
    V
    GS
    ＝ ０V
    １
    TC = 5 ℃
    ２
    典型值
    脉冲测量
    漏电流I
    D
    〔A〕
    漏电流I
    D
    〔A〕
    ３
    ０
    ２
    ５
    ２
    ０
    １
    ５
    １
    ０
    ５
    ０
    ０
    ５
    １
    ０
    ３
    ０
    ２
    ５
    ２
    ０
    １
    ５
    １
    ０
    ５
    ０
    ０
    ５
    １
    ０
     ５
    ℃
    １
    ０
    ５
    Ｖ
    V
    ＧS
    =４
    ＧS
    Ｖ
    V
    DS
    =20V
    典型值
    脉冲测量
    １
    ５
    ２
    ０
    ０５
    ．
    ０
    ０２
    ．
    ０
    ０１
    ．
    ０
    ０ ０
    ． ．
    １ ２
    ０
    ．
    ５
    １
    ２
    ５
    １
    ０
    ２
    ０
    ５
    ０
    漏源电压V
    DS
    〔V〕
    １
    ５
    ２
    ０
    ２
    ５
    门源电压V
    GS
    〔V〕
    漏电流I
    D
    〔A〕
    ドレイン �½ース間オン抵抗─ケース温度
    ・
    ゲー し
    ト きい値電圧─ケース温度
    安全動�½�領域
    静态漏源导静电电阻与外壳温度
    静态漏源导静电阻抗R
    DS （ ON）
    〔Ω〕
    １
    脉冲测量
    栅极阈值电压VS案例
    温度
    ５
    脉冲测量
    安全工作区
    １０
    ０
    ６
    ０
    ４
    ０
    ２
    ０
    １
    ０
    栅极阈值电压V
    TH
    〔Ｖ〕
    ４
    10μs
    漏电流I
    D
    〔A〕
    I
    D
    =10A
    ０
    ．
    １
    ３
    R
    DS ON）
    （上
    ）
    限制
    空间
    １
    100μs
    200μs
    1ms
    ２
    １
    V
    DS
    ＝ ０V
    １
    I
    D
    =1mA
    典型值
    −５
    ５
    ０
    ．
    １
    TC = 5 ℃
    ２
    单脉冲
    10ms
    DC
    ０１
    ．
    ０
    −５
    ５
    壳温度
    〔℃〕
    ０
    ５
    ０
    V
    GS
    ＝10V
    脉冲测试
    典型值
    １０
    ０
    １０
    ５
    ０
    壳温度
    〔℃〕
    ０
    ５
    ０
    １０
    ０
    １０
    ５
    ０１
    ．
    ０
    ０
    漏源电压V
    DS
    〔V〕
    １
    ０
    １０
    ０
    ６０
    ０
    過渡熱抵抗
    キャパシタンス特性
    全損失減少率─ケース温度
    瞬态热阻抗
    Trancient热阻θJC 〔℃ / W 〕
    １
    ０
    θJC
    θJC
    １
    电容特性
    １００
    ００
    功率降额 - 外壳温度
    １０
    ０
    电容西塞科斯的Crss 〔 pF的〕
    Ｃ�½�
    �½��½�
    ８
    ０
    Ｃo �½�
    �½�
    １０
    ０
    功率降额
    〔%〕
    １０
    ００
    ６
    ０
    ０.１
    ４
    ０
    ０.０
    １
    １
    ０
    f＝
    ΔMHz
    TC = 5 ℃
    ２
    典型值
    １
    ０
    ２
    ０
    Ｃr �½�
    �½�
    ２
    ０
    ０.０ １
    -５
    ０
    １
    ０ １
    -４
    ０
    １
    -３
    ０
    时间T
    〔s〕
    １
    -２
    ０
    １
    -１
    ０
    １
    ０
    ０
    １
    １
    ０
    １
    ２
    ０
    漏源电压V
    DS
    〔Ｖ〕
    ４
    ０
    ６
    ０
    ８
    ０
    １０
    ０
    ０
    ０
    ２
    ５
    壳温度〔℃〕
    ５
    ０
    ７
    ５
    １０
    ０
    １５
    ２
    １０
    ５
    ゲー
    トチャージ特性
    栅极电荷特性
    ５０
    ０
    I
    D
    =２
    ０A
    典型值
    ２
    ０
    漏源电压V
    DS
    〔V〕
    ４０
    ０
    １
    ５
    ３０
    ０
    V
    DD
    =４
    ０
    =４ Ｖ
    ０
    ２
    ０
    ０Ｖ
    １
    ０
    ０Ｖ
    V
    ＧS
    ＧS
    １
    ０
    ２０
    ０
    ５
    １０
    ０
    ０
    ０
    ４
    ０
    总栅极电荷Qg
    ²NC²
    ８
    ０
    １０
    ２
    １０
    ６
    ０
    ２０
    ０
    门源电压V
    GS
    〔V〕
    V
    DS
    *锡はè 5Hで测定しています。
    即Vは0 ž
    ＊
    5小时秒EW V S S小DFR一个UE NS
    0 Z I一EIU ê Ø我来说也RME吨。
    n
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