HVX - 2系列功率MOSFET
ⅵELECTRICAL
特性TC = 25 ?
项
符号
V
( BR ) DSS
漏源击穿电压
I
DSS
零栅极电压漏极电流
I
GSS
栅极 - 源极漏电流
g
fs
Forward Tran�½�conductance
Static Drain-Source On-�½�tate Resistance
R
DS ( ON)
V
TH
栅极阈值电压
V
SD
源极 - 漏极二极管正向电压
θJC
热阻
总栅极电荷
Q
g
输入电容
C
国际空间站
反向传输电容
C
RSS
输出电容
C
OSS
开启时间
t
on
打开-O FF时间
t
关闭
2SK2677 ( FP10W90HVX2 )
条件
分钟。
900
典型值。
马克斯。
250
±0.1
4.8
2.5
8.0
1.05
3.0
单位
V
μA
S
Ω
V
I
D
=
1mA,
V
GS
= 0V
V
DS
= 900V, V
GS
= 0V
V
GS
=
±30V,
V
DS
= 0V
I
D
= 5A ,V
DS
=
10V
I
D
= 5A ,V
GS
=
10V
I
D
=
1mA,
V
DS
=
10V
I
S
= 5A ,V
GS
= 0V
结到外壳
V
DD
= 400V, V
GS
=
10V,
I
D
=
10A
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V , F =
1MH
Z
I
D
= 5A ,R
L
= 30Ω, V
GS
=
10V
90
2150
50
210
140
440
1.4
3.5
1.5
1.92 ℃/W
nC
pF
250
740
ns
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