VX - 2系列功率MOSFET
ⅵELECTRICAL
特性TC = 25 ?
项
符号
V
( BR ) DSS
漏源击穿电压
I
DSS
零栅极电压漏极电流
I
GSS
栅极 - 源极漏电流
Forward Tran�½�conductance
g
fs
Static Drain-Source On-�½�tate Resistance
R
DS ( ON)
栅极阈值电压
V
TH
V
SD
源极 - 漏极二极管Forwade电压
θJC
The�½�mal Resistance
Q
g
总栅极电荷
C
国际空间站
输入电容
反向传输电容
C
RSS
输出电容
C
OSS
开启时间
t
on
t
关闭
打开-O FF时间
条件
I
D
=
1mA,
V
GS
= 0V
V
DS
= 500V, V
GS
= 0V
V
GS
=
±30V,
V
DS
= 0V
I
D
=
1.5A,
V
DS
=
10V
I
D
=
1.5A,
V
GS
=
10V
I
D
= 0.3毫安,V
DS
=
10V
I
S
=
1.5A,
V
GS
= 0V
结到外壳
V
DD
= 400V, V
GS =
10
V,
I
D =
3A
V
DS
=
10V,
V
GS
= 0V , F =
1MH
Z
2SK2182 ( F3F50VX2 )
分钟。
500
典型值。
马克斯。
250
±0.1
0.9
2.5
2.1
1.8
3.0
2.3
3.5
1.5
5.0
单位
V
μA
S
Ω
V
℃/W
nC
pF
80
140
ns
I
D
=
1.5A,
V
GS
=
10V,
R
L
=
100Ω
15
400
30
90
45
90
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