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S20SC9MT 参数 Datasheet PDF下载

S20SC9MT图片预览
型号: S20SC9MT
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内容描述: 肖特基二极管 [Schottky Barrier Diode]
分类和应用: 肖特基二极管
文件页数/大小: 2 页 / 142 K
品牌: SHINDENGEN [ SHINDENGEN ELECTRIC MFG.CO.LTD ]
 浏览型号S20SC9MT的Datasheet PDF文件第1页  
S 0 C MT
2S 9
■特性図
順方向特性
C A A T RS I DA R MS
H R C E ITC IG A
順電力損失曲線
せん頭サージ順電流耐量
Forward Voltage
Forward Power Dissipation
Peak Surge Forward Current Capability
Peak Surge Forward Current I
FSM
〔A〕
30
20
20
10
10
I
FSM
0ms 1
0ms
1cycle
Non-repetitive
Tj=1 0℃
Sine wave
Forward Power Dissipation P
F
〔W〕
I
O
tp
D=tp/T
D=0
SIN
DC
Forward Current I
F
〔A〕
Pulse measurement
Per diode
Tc= 5 (MAX)
1 0℃
Tc= 5 (TYP)
1 0℃
Tc= 2 (MAX)
5℃
Tc= 2 (TYP)
5℃
T
Tj= 5
1 0℃
10
Forward Voltage V
F
〔V〕
Average Rectified Forward Current I
O
〔A〕
Number of Cycles 〔cycle〕
逆方向特性
逆電力損失曲線
接合容量
Reverse Current
10
00
Reverse Power Dissipation
Junction Capacitance
100
00
DC
D=0 5
f=
1MHz
Tc= 5℃
TYP
Per diode
Reverse Power Dissipation P
R
〔W〕
V
R
Reverse Current I
R
〔mA〕
10
0.
Tc= 5 ℃
1 0 (TYP)
Tc= 2 ℃
1 5 (TYP)
Tc= 0 ℃
1 0 (TYP)
Tc= 7 ℃
5 (TYP)
Tc= 5 ℃
0 (TYP)
Tc= 2 ℃
5 (TYP)
Junction Capacitance Cj pF〕
tp
D=tp/T
T
3 Tj= 5
1 0℃
10
00
10
0.
SIN
0. 1
Pulse measurement
Per diode
10
10
10
0 0
. .
1 2
5 9
0 0
Reverse Voltage V
R
〔V〕
Reverse Voltage V
R
〔V〕
Reverse Voltage V
R
〔V〕
ディ
レーティ
ングカーブ
Tc-Io
Derating Curve Tc-Io
Average Rectified Forward Current I
O
〔A〕
tp
I
O
V
R
V
R
= 5V
D=tp/T
過渡熱抵抗
Transient Thermal Impedance
Trancient Thermal Impedance θjc 〔℃/W〕
DC
T
3 D=0
SIN
1 0
5 .
10 10 10 10
05
θjc
θjc
.1
0 1
-4
.0
-3
-2
-1
Case Temperature Tc 〔 ℃〕
Time t
〔s〕
* Sn wa e 5H で測定しています。
ie v は 0 z
5 H s ew v s s dfr a ue ns
0 z i a eiu e o me s rme t.
n
www. id n e . . /rd c/ mi
s n e g nc j po u t e /
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op
s
5 3P 0 00
J 3 -
2 1 .6