M2F60
■特性図ꢀCHARACTERISTIC DIAGRAMS
せん頭サージ順 電流耐量
Peak Surge Forward Current Capability
順
方向特性
順 電力損失曲線
Forward Power Dissipation
Forward Voltage
50
10
1.4
sine wave
Tj＝150℃
〔
〔
1.2
1
5
40
30
Tl =150℃〔TYP〕
Tl =25℃〔TYP〕
2
0.8
0.6
0.4
0.2
0
1
sine wave
20
10
0
0.5
0
10ms 10ms
1cycle
0.2
0.1
non-repetitive
Tj＝25℃
〔
〔
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1
2
5
10
20
50
100
Average Rectified Forward Current IO〔A〕
Number of Cycles
Forward Voltage VF〔V〕
ディレーティングカーブ Ta
－Io
ディレーティングカーブ Ta
ーIo
Derating Curve Ta
－Io
Derating Curve Ta
ー
Io
1.5
1.2
sine wave
R-load
on glass-epoxy substrate
on alumina substrate
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
free in air
〔
〔
Soldering land
conductor layer
:
2
:
mm
35μ
Soldering land
conductor layer
Substrate thickness : 0.64 t
:
2
:
mm
20μ
1
0.5
VR＝600V
VR＝600V
〔
0
〕
〔
〕
0
20
40
60
80
100 120 140 160
0
20
40
60
80
100 120
140 160
Ambient Temperature Ta〔℃〕
Ambient Temperature Ta〔℃〕
・Sine waveは50Hzで測定しています。
・50Hz sine wave is used for measurements.
・半導体製品の特性は一般的にバラツキを持っております。Typicalは統計的な実力を表しています。
・Semiconductor products generally have characteristic variation. Typical is a statistical average
of the device’s ability.
www.shindengen.co.jp/product/semi/
199
（J 514-6）
SHINDENGEN [ SHINDENGEN ELECTRIC MFG.CO.LTD ]
