F 1 6C M
1F 0 3
■特性図
出力特性
２
０
１Ｖ
０
８
Ｖ
６
Ｖ
C A A T RS I DA R MS
H R C E ITC IG A
伝達特性
ドレイン �½ース間オン抵抗─
・
ドレイン電流
Typical Output Characteristics
Tc=25℃
TYP
Pulse measurement
Transfer Characteristics
Ｔ =−
５
�½� ５
℃
２
０
２℃
５
０
℃
１
０
Static Drain-Source On-static Resistance vs Drain Current
Static Drain-Source On-state Resistance R
DS ON）
（
〔Ω〕
１
０
５
V
GS
＝ ０V
１
Tc＝ ５℃
２
TYP
Pulse measurement
Drain Current I
D
〔A〕
Drain Current I
D
〔A〕
１
５
１
５
５
℃
１
０
２
１
０
．
５
５
Ｖ
１
０
１
０
５
５
V
ＧS
=４
ＧS
Ｖ
０
０
５
１
０
１
５
２
０
２
５
０
０
５
１
０
V
DS
=20V
TYP
Pulse measurement
１
５
２
０
０
．
２
０
．
１
０
． ０
１
．
２
Drain Source Voltage V
DS
〔V〕
Gate Source Voltage V
GS
〔V〕
Drain Current I
D
〔A〕
０
．
５
１
２
５
１
０
２
２
ドレイン �½ース間オン抵抗─ケース温度
・
ゲー し
ト きい値電圧─ケース温度
安全動�½�領域
Static Drain-Source On-static Resistance vs Case Temperature
Static Drain-Source On-static Resistance R
DS（ON）
〔Ω〕
１
０
Pulse measurement
Gate Threshold Voltage vs Case
Temperature
５
Pulse measurement
Safe Operating Area
１０
０
３
３
２
２
Gate Threshold Voltage Ｖ
TH
〔Ｖ〕
４
１
I
D
=５ A
=５
５
.
Drain Current I
D
〔A〕
１
１
10μs
３
R
DS on
）
（
on）
Restricted
space
１
100μs
200μs
1ms
10ms
２
０
．
１
１
V
DS
＝ ０V
１
ID=０ mA
５
.
TYP
−５
５
０
．
１
Tc＝ ５℃
２
Single pulse
DC
０１
．
０
−５
５
Case Ｔemperature Tc
〔℃〕
０
５
０
V
GS
＝ ０V
１
Pulse test
TYP
１０
０
１０
５
０
Case Temperature Tc
〔℃〕
０
５
０
１０
０
１０
５
０１
．
０
１
Drain Source Voltage V
DS
〔V〕
１
０
１０
０
６０
０
過渡熱抵抗
キャパシタンス特性
全損失減少率─ケース温度
Transient Thermal Impedance
Trancient Thermal Impedance θjc 〔℃/W〕
１
０
θjc
θjc
１
Capacitance Characteristics
１００
００
Power Derating - Case Temperature
１０
０
Capacitance Ｃiss Coss Crss〔pF〕
Ｃ�½�
�½��½�
１０
００
Ｃo �½�
�½�
８
０
Power Derating
〔%〕
１０
０
６
０
０.１
１
０
Ｃr �½�
�½�
４
０
０.０
１
１
f＝
１MHz
Tc＝ ５℃
２
TYP
０.１
０
２
０
２
０
０.０ １
-５ -４
０
１ １
０ ０
１
-３
０
１
-２
０
Time t
〔s〕
１
-１
０
１
０
０
１
１
０
１
２
０
１
３
０
Drain Source Voltage V
DS
〔Ｖ〕
４
０
６
０
８
０
１０
０
０
０
２
５
Case Temperature Tc〔℃〕
５
０
７
５
１０
０
１５
２
１０
５
ゲー
トチャージ特性
Gate Charge Characteristics
５０
０
I
D
=１
１A
TYP
２
０
Drain Source Voltage V
DS
〔V〕
４０
０
１
５
３０
０
V
DD
=４ ０
=４ Ｖ
０
２０
０Ｖ
１０
０Ｖ
V
ＧS
ＧS
１
０
２０
０
５
１０
０
０
０
１
５
Total Gate Charge Qg
〔nC〕
３
０
４
５
６
０
０
７
５
Gate Source Voltage V
GS
〔V〕
V
DS
＊ Sn wa e 5H で測定しています。
ie v は 0 z
＊
5 H s ew v s s dfr a ue ns
0 z i a eiu e o me s rme t.
n
www. id n e . . /rd c/ mi
s n e g nc j po u t e /
h
op
s
S E
〈
0 00
〉
（
MO F T 2 1 .6
）
SHINDENGEN [ SHINDENGEN ELECTRIC MFG.CO.LTD ]
