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DG0R7E40 参数 Datasheet PDF下载

DG0R7E40图片预览
型号: DG0R7E40
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内容描述: 整流器器二极管 [Rectifier Diode]
分类和应用: 二极管
文件页数/大小: 2 页 / 136 K
品牌: SHINDENGEN [ SHINDENGEN ELECTRIC MFG.CO.LTD ]
 浏览型号DG0R7E40的Datasheet PDF文件第1页  
DG0R7E40
■特性図 CHARACTERISTIC
DIAGRAMS
順方向特性
順電力損失曲線
せん頭サージ順電流耐量
Forward Voltage
10
5
Forward Power Dissipation
1.2
Peak Surge Forward Current Capability
DC
Forward Power Dissipation P
F
W〕
Forward Current I
F
〔A〕
1
0.5
SIN
0.3
0.6
0.1
0.4
0.05
0
0.2
tp
0.2
D=0.8
Peak Surge Forward Current
I
FSM
〔A〕
20
2
Tl =150℃
〔MAX〕
Tl =150℃
〔TYP〕
Tl =25℃
〔MAX〕
Tl =25℃
〔TYP〕
15
0.8
1
10
Io
5
FM
10ms 10ms
0.5
lcycle
0.2
0.1
0
0.5
1
Pulse measurement
1.5
2
T
Tj=150℃
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
D=tp/T
1
1.2
0
1
non-repetitive
sine wave
Tj=25℃
5
10
20
50
2
Forward Voltage V
F
〔V〕
Average Rectified Forward Current I
O
〔A〕
Number of Cycles
ディ
レーティ
ングカーブTaーIo
ディ
レーティ
ングカーブTaーIo
V
R
tp
T
D=tp/T
Derating Curve TaーIo
Average Rectified Forward Current I
O
〔A〕
0.8
DC
D=0.8
Average Rectified Forward Current I
O
〔A〕
0
0
Io
Derating Curve TaーIo
1.2
DC
1 D=0.8
0
0
tp
T
Io
V
R
D=tp/T
0.7
0.5
0.6
0.5
0.2
SIN
0.3
on glass-epoxy substrate
on glass-epoxy substrate
Soldering land : 1.2 mm
conductor layer : 35μ
Pattern area : 32.6 mm
2
0.8 0.5
SIN
0.6
0.3
0.2
0.4 0.1
0.05
0.2
Soldering land : 1.2 mm
conductor layer : 35μ
Pattern area : 160 mm
2
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.1
0.05
V =400V
R
V =400V
R
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Ambient Temperature Ta ℃〕
Ambient Temperature Ta ℃〕
・Sine waveは50Hzで測定しています。
・50Hz sine wave is used for measurements.
・半導�½��½品の特性は一般的にバラツキを持っております。Typicalは統計的な実力を表しています。
・Semiconductor products generally have characteristic variation. Typical is a statistical average
of the device’s ability.
www.shindengen.co.jp/product/semi/
(J
514 - 6)
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