D50XB80
■特性図ꢀCHARACTERISTIC DIAGRAMS
せん頭サージ電流耐量
Peak Surge Forward Current Capability
順
方向特性
順 電力損失曲線
Forward Power Dissipation
Forward Voltage
600
100
120
sine wave
R - load
with heatsink
500
400
100
Tj＝150℃
Tc=150℃〔TYP〕
Tc=25℃〔TYP〕
10
80
60
40
20
0
300
sine wave
1
200
0
10ms 10ms
1cycle
non-repetitive
per diode
100
Pulse measurement
per diode
〔
〔
〔
〔
Tj＝25℃
0.1
0
0
0.5
1
1.5
2
0
10
20
30
40
50
60
1
2
5
10
20
50
100
Average Rectified Forward Current IO〔A〕
Number of Cycles
Forward Voltage VF〔V〕
ディレーティングカーブ Ta
－Io
ディレーティングカーブ Tc
ーIo
Derating Curve Ta
－Io
Derating Curve Tc
ー
Io
60
5
SIN
50
40
4
3
2
1
Tc-sensing point
heat sink
30
20
10
sine wave
R - load
sine wave
R - load
free in air
with heatsink
〔
〔
〔
〔
60
80
0
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160
0
20
40
100 120
140 160
Ambient Temperature Ta〔℃〕
Case Temperature Tc〔℃〕
・Sine waveは50Hzで測定しています。
・50Hz sine wave is used for measurements.
・半導体製品の特性は一般的にバラツキを持っております。Typicalは統計的な実力を表しています。
・Semiconductor products generally have characteristic variation. Typical is a statistical average
of the device’s ability.
www.shindengen.co.jp/product/semi/
115
（J 514-6）
SHINDENGEN [ SHINDENGEN ELECTRIC MFG.CO.LTD ]
