D4SBN20
■特性図ꢀCHARACTERISTIC DIAGRAMS
順
方向特性
順
電力損失曲線
せん頭サージ順 電流耐量
Peak Surge Forward Current Capability
Forward Voltage
Forward Power Dissipation
12
80
50
DC
10
D=0.8
60
10
0.5
Tc=150℃（MAX）
Tc=150℃（TYP）
Tc=25℃（MAX）
Tc=25℃（TYP）
8
6
4
2
0
SIN
0.3
0.2
40
0.1
sine wave
0.05
1
0
Io
10ms 10ms
20
1cycle
tp
non-repetitive
Tj＝25℃
Pulse measurement
T
〔
〔
per diode
〔
〔
Tj=150℃ D=tp/T
0.1
0
0
1
2
3
4
5
1
10
100
0
1
2
3
4
5
6
7
Number of Cycles
Average Rectified Forward Current IO〔A〕
Forward Voltage VF〔V〕
逆方向特性
Reverse Current
逆電力損失曲線
Reverse Power Dissipation
接合容量
Junction Capacitance
1000
0.8
200
f=1MHz
Tc=25℃
TYP
0
V
R
DC
D=0.05
0.1
tp
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
T
〔
per diode
〔
100
10
Tj=150℃ D=tp/T
100
50
0.2
0.3
0.5
1
SIN
0.8
20
10
0.1
0.01
Pulse measurement
per diode
〔
〔
0
50
100
150
200
0
50
100
150
200
0.1
1
10
100 200
Reverse Voltage VR〔V〕
Reverse Voltage VR〔V〕
Reverse Voltage VR〔V〕
Io
Io
ディレーティングカーブTa
ーIo
ディレーティングカーブTc
ーIo
0
0
0
0
V
R
Derating Curve Ta
ーIo
Derating Curve Tc
ーIo
VR
tp
T
tp
T
D=tp/T
4
8
D=tp/T
heatsink Tc-sensing point
Tc
+
～
～
－
P.C.B
DC
DC
3
6
D=0.8
D=0.8
on glass-epoxy substrate
Soldering land 5mmφ
0.5
0.5
SIN
SIN
0.3
0.2
2
1
0
4
0.3
0.2
VR＝VRM
〔
〕
0.1
0.1
2
0.05
0.05
VR＝VRM
〔
〕
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160
0
20
40
60
80
100 120 140 160
Ambient Temperature Ta〔℃〕
Case Temperature Tc〔℃〕
・Sine waveは50Hzで測定しています。
・50Hz sine wave is used for measurements.
・半導体製品の特性は一般的にバラツキを持っております。Typicalは統計的な実力を表しています。
・Semiconductor products generally have characteristic variation. Typical is a statistical average
of the device’s ability.
www.shindengen.co.jp/product/semi/
143
（J 514-6）
SHINDENGEN [ SHINDENGEN ELECTRIC MFG.CO.LTD ]
