Thin SIP UL Bridge
■特性図 CHARACTERISTIC
DIAGRAMS
D25XB100
Peak Surge Forward Current I
FSM
〔A〕
300
60
400
I
FSM
Forward Power Dissipation P
F
〔W〕
100
50
〔
sine wave
Tj=150℃
sine wave
0
〕
Forward Current I
F
〔A〕
300
10ms
10ms
40
10
Tc=25℃
Tc=150℃
1
〔
200
1cycle
non-repetitive
Tj=25℃
〕
30
20
100
0.1
〔
0
0.5
1
1.5
Pulse measurement
per diode
TYP
2
2.5
〔
3
10
0
0
5
10
15
20
25
0
1
2
5
10
20
50
100
Forward Voltage V
F
〔V〕
Average Rectified Forward Current I
O
〔A〕
Number of Cycles
Average Rectified Forward Current I
O
〔A〕
Average Rectified Forward Current I
O
〔A〕
4
sine wave
R-load
3
30
20
heatsink
Tc
Tc
2
10
1
sine wave
R-load
0
0
0
40
80
120
160
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Ambient Temperature Ta
〔℃〕
Case Temperature Tc
〔℃〕
＊ Sine wave は 50Hz で測定しています。
＊
＊半導�½��½品の特性は一般的にバラツキを持っております。
Typical は統計的な実力を表しています。
＊
（J534）
93
SHINDENGEN [ SHINDENGEN ELECTRIC MFG.CO.LTD ]
