D4SBN20
■特性図 CHARACTERISTIC
DIAGRAMS
順方向特性
順電力損失曲線
せん頭サージ順電流耐量
Forward Voltage
50
Forward Power Dissipation
12
Peak Surge Forward Current Capability
Peak Surge Forward Current
I
FSM
〔A〕
80
Forward Power Dissipation P
F
W〕
〔
10
0.5
SIN
0.3
0.2
6
0.05
4
0.1
DC
D=0.8
Forward Current I
F
〔A〕
10
Tc=150℃
（MAX）
Tc=150℃
（TYP）
Tc=25℃
（MAX）
Tc=25℃
（TYP）
60
8
40
sine wave
0
1
Io
tp
T
Tj=150℃
I
FSM
10ms 10ms
20
0.1
0
〔
1
2
Pulse measurement
per diode
3
4
〔
5
2
D=tp/T
6
7
〔
0
1
1cycle
non-repetitive
Tj＝25℃
〔
10
100
0
0
1
2
3
4
5
Forward Voltage V
F
〔V〕
Average Rectified Forward Current I
O
〔A〕
Number of Cycles
逆方向特性
逆電力損失曲線
接合容量
Reverse Current
1000
Reverse Power Dissipation
0.8
Junction Capacitance
200
DC
D=0.05
0.1
0.2
0.3
Reverse Power Dissipation P
R
W〕
〔
0
0.7
0.6
0.5
0.4
tp
T
Tj=150℃
（ TYP
Tc=125℃
）
D=tp/T
100
10
（ TYP ）
Tc=100℃
50
1
（
Tc=75℃ T
YP）
0.5
0.3
0.2
0.1
SIN
0.8
（
Tc=50℃ TY
P）
0.1
20
0.01
0
50
100
150
200
Reverse Voltage VR
〔V〕
ディ
レーティ
ングカーブTaーIo
Average Rectified Forward Current I
O
〔A〕
Average Rectified Forward Current I
O
〔A〕
Derating Curve TaーIo
4
0
0
tp
T
Io
V
R
D=tp/T
DC
P.C.B
+
∼
∼
−
3
0.5
SIN
D=0.8
on glass-epoxy substrate
Soldering land 5mmφ
2
0.3
0.2
0.1
〔
V ＝V
〕
R
RM
1
0.05
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Ambient Temperature Ta ℃〕
〔
〔
〔
Pulse measurement
per diode
0
0
50
100
150
200
10
0.1
1
10
100 200
Reverse Voltage V
R
V〕
〔
Reverse Voltage V
R
V〕
〔
ディ
レーティ
ングカーブTcーIo
Derating Curve TcーIo
8
0
0
tp
T
Io
V
R
D=tp/T
heatsink Tc-sensing point
Tc
DC
6
D=0.8
0.5
SIN
0.3
0.2
2
0.1
0.05
4
〔
V ＝V
〕
R
RM
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Case Temperature Tc ℃〕
〔
・Sine waveは50Hzで測定しています。
・50Hz sine wave is used for measurements.
・半導�½��½品の特性は一般的にバラツキを持っております。Typicalは統計的な実力を表しています。
・Semiconductor products generally have characteristic variation. Typical is a statistical average
of the device’s ability.
www.shindengen.co.jp/product/semi/
（J
514 - 6）
〔
100
Junction Capacitance Cj
〔pF〕
Reverse Current I
R
μA〕
〔
（
Tc=150℃ TYP）
V
R
〔
f=1MHz
Tc=25℃
TYP
per diode
143
SHINDENGEN [ SHINDENGEN ELECTRIC MFG.CO.LTD ]
