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D1FT15A 参数 Datasheet PDF下载

D1FT15A图片预览
型号: D1FT15A
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内容描述: [Schottky Barrier Diode]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 334 K
品牌: SHINDENGEN [ SHINDENGEN ELECTRIC MFG.CO.LTD ]
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順方向特性  
逆方向特性  
順電力損失曲線  
Forward Voltage  
Reverse Current  
Forward Power Dissipation  
20  
10000  
10  
DC  
.  
Tl17TYP)  
Tl15TYP)  
Tl12TYP)  
1000  
D8  
5  
100  
10  
Tl17MAX)  
Tl17TYP)  
TlMAX)  
TlTYP)  
SIN  
.  
3  
Tl10TYP)  
TlTYP)  
2  
.1  
1  
5  
.  
Tj75℃  
.  
.1  
TlTYP)  
I
O
.  
tp  
T
D=tp/T  
Pulse measurement  
Pulse measurement  
.01  
. 1  
.5  
.  
50  
100  
150  
Forward Voltage VF〔V〕  
Reverse Voltage VR〔V〕  
Average Rectified Forward Current IO〔A〕  
I
O
IO  
逆電力損失曲線  
ーテグカーブ  
ーテグカーブ  
Reverse Power Dissipation  
.8  
Derating Curve  
Derating Curve  
V
R
V
R
V
R
75V  
VR75V  
tp  
tp  
Tj175℃  
D=tp/T  
DC  
D=tp/T  
T
T
D5  
1  
.7  
DDCC  
VR  
on glass-epoxi substrate  
D8  
DC  
tp  
D=tp/T  
5  
.  
.6  
.5  
.4  
.3  
.2  
.1  
2  
3  
DD8  
T
SIN  
Soldering landmm  
Conductor layer 35μm  
Substrate thickness 1.0nm  
5  
3  
2  
SIN  
5  
3  
2  
2  
1  
1  
5  
.  
SIN  
8  
5  
20  
40  
60  
80 100 120 140 160  
50  
100  
150  
200  
50  
100  
150  
200  
Reverse Voltage VR〔V〕  
LeaTemperature  
せん頭サージ順電流耐量  
Tl〕  
Ambient Temperature Ta〕  
I
O
ーテグカーブ  
接合容量  
Derating Curve  
.5  
DDCC  
Peak Surge Forward Current Capability  
80  
Junction Capacitance  
1000  
V
R
V
R
75V  
tp  
Sine wave  
D=tp/T  
f=1MHz  
l = 25℃  
TYP  
D8  
T
70  
On alumina substrate  
5  
msms  
60  
SIN  
cycle  
Soldering landmm  
Conductor layer 20μm  
Substrate thickness 0.64t  
Non-repetitive  
Tj℃  
100  
3  
.5  
50  
40  
30  
20  
10  
2  
.5  
1  
10  
5  
.  
50  
100  
150  
200  
10  
100  
10  
1050  
Ambient Temperature Ta〕  
過渡熱抵抗  
Number of Cycles〔cycle〕  
Reverse Voltage VR〔V〕  
過渡熱抵抗  
Transient Thermal Impedance  
1000  
Transient Thermal Impedance  
1000  
θja  
θja  
100  
10  
100  
10  
θj  
l
θj  
l
On alumina substrate  
on glass-epoxi substrate  
.1  
.  
Soldering landmm  
Soldering landmm  
Conductor layer 20μm  
Substrate thickness 0.64t  
Conductor layer 35μm  
Substrate thickness 1.0nm  
.1  
. 1  
-4  
-3  
-2  
-1  
0
1
2
3
-4  
-3  
-2  
-1  
0
1
2
3
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
Time t〔s〕  
Time t〔s〕  
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