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順方向特性
逆方向特性
順電力損失曲線
Forward Voltage
Reverse Current
Forward Power Dissipation
４
２０
１００００
１０
DC
３５.
３
Tl＝１７５℃（TYP）
Tl＝１５０℃（TYP）
Tl＝１２５℃（TYP）
１０００
D＝０．８
１
０．５
１００
１０
Tl＝１７５℃（MAX）
Tl＝１７５℃（TYP）
Tl＝２５℃（MAX）
Tl＝２５℃（TYP）
SIN
２５.
０．３
Tl＝１００℃（TYP）
Tl＝７５℃（TYP）
０．２
２
０.１
０．１
０．０５
１５.
１
Tj＝１75℃
１
０５.
０
０.０１
Tl＝５０℃（TYP）
I
O
０１.
tp
T
D＝tp/T
Pulse measurement
Pulse measurement
０.００１
００. １
０
０
０.５
１
１５.
２
５０
１００
１５０
０
１
２
３
４
５
Forward Voltage VF〔V〕
Reverse Voltage VR〔V〕
Average Rectified Forward Current IO〔A〕
I
O
IO
逆電力損失曲線
ディレーティングカーブ
ディレーティングカーブ
０
０
０
０
Reverse Power Dissipation
０.８
Derating Curve
６
Derating Curve
２
V
R
V
R
V
R
＝75V
VR＝75V
tp
tp
Tj＝175℃
D＝tp/T
DC
D＝tp/T
T
T
０
D＝０．０５
０．１
０.７
DDCC
VR
on glass-epoxi substrate
５
D＝０．８
DC
tp
D＝tp/T
０．５
１５.
０.６
０.５
０.４
０.３
０.２
０.１
０
０．２
０．３
DD＝＝００．８．８
４
T
SIN
Soldering land２mm
Conductor layer 35μm
Substrate thickness 1.0nm
００．５．５
０．３
０．２
SIN
３
１
０．５
００．３．３
０．２
０．２
０．１
２
１
０
００．１．１
０．０５
０５.
SIN
０．８
０．０５
０
０
２０
４０
６０
８０ １００ １２０ １４０ １６０
０
５０
１００
１５０
２００
０
５０
１００
１５０
２００
Reverse Voltage VR〔V〕
ＬｅａｄTemperature
せん頭サージ順電流耐量
Tl〔℃〕
Ambient Temperature Ta〔℃〕
I
O
ディレーティングカーブ
接合容量
０
０
Derating Curve
２.５
DDCC
Peak Surge Forward Current Capability
８０
Junction Capacitance
１０００
V
R
V
R
＝75V
tp
Sine wave
D＝tp/T
f=1MHz
Ｔl = 25℃
TYP
D＝０．８
T
７０
On alumina substrate
０．５
２
１０ms１０ms
６０
SIN
１cycle
Soldering land２mm
Conductor layer 20μm
Substrate thickness 0.64t
Non-repetitive
Tj＝２５℃
１００
０．３
１.５
５０
４０
３０
２０
１０
０
０．２
１
０.５
０
０．１
１０
０．０５
１
０１.
０
５０
１００
１５０
２００
１
１０
１００
１
１０
１００１５０
Ambient Temperature Ta〔℃〕
過渡熱抵抗
Number of Cycles〔cycle〕
Reverse Voltage VR〔V〕
過渡熱抵抗
Transient Thermal Impedance
１０００
Transient Thermal Impedance
１０００
θja
θja
１００
１０
１００
１０
θj
l
θj
l
１
１
On alumina substrate
on glass-epoxi substrate
０.１
０１.
Soldering land２mm
Soldering land２mm
Conductor layer 20μm
Substrate thickness 0.64t
Conductor layer 35μm
Substrate thickness 1.0nm
０.０１
００. １
-４
-3
-2
-1
0
1
2
3
-４
-3
-2
-1
0
1
2
3
１０
１０
１０
１０
１０
１０
１０
１０
１０
１０
１０
１０
１０
１０
１０
１０
Time t〔s〕
Time t〔s〕
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SHINDENGEN [ SHINDENGEN ELECTRIC MFG.CO.LTD ]
