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TK6P60W 参数 Datasheet PDF下载

TK6P60W图片预览
型号: TK6P60W
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内容描述: MOSFET的硅N沟道MOS ( DTMOSî ? ¯ ) [MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 341 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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6,电气特性
6.1 。静态特性(T
a
= 25
除非另有规定编)
25
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
符号
I
GSS
I
DSS
V
( BR ) DSS
V
th
R
DS ( ON)
测试条件
V
GS
=
±30
V, V
DS
= 0 V
V
DS
= 600 V, V
GS
= 0 V
I
D
= 10 mA时, V
GS
= 0 V
V
DS
= 10 V,I
D
= 0.31毫安
V
GS
= 10 V,I
D
= 3.1 A
600
2.7
典型值。
0.68
最大
±1
10
3.7
0.82
V
单位
µA
6.2 。动态特性(T
a
= 25
除非另有规定编)
25
特征
输入电容
反向传输电容
输出电容
有效输出电容
栅极电阻
切换时间(上升时间)
切换时间(导通时间)
切换时间(下降时间)
切换时间(关断时间)
MOSFET的dv / dt坚固
符号
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
C
O( ER )
r
g
t
r
t
on
t
f
t
关闭
dv / dt的
V
DD
= 0 〜400 V,I
D
= 3.1 A
V
DS
= 0〜 400 V ,V
GS
= 0 V
V
DS
= OPEN , F = 1兆赫
参见图6.2.1
测试条件
V
DS
= 300 V, V
GS
= 0 V , F = 1兆赫
25
典型值。
390
1.7
12
20
7.5
18
40
7
55
最大
V / ns的
ns
单位
pF
图。 6.2.1开关时间测试电路
6.3 。栅极电荷特性(T
a
= 25
除非另有规定编)
25
特征
总栅极电荷(栅极 - 源极加
栅极 - 漏极)
栅极 - 源极电荷1
栅极 - 漏极电荷
符号
Q
g
Q
gs1
Q
gd
测试条件
V
DD
400 V, V
GS
= 10 V,I
D
= 6.2 A
典型值。
12
3
6
最大
单位
nC
25
6.4 。源极 - 漏极特性(T
a
= 25
除非另有规定编)
特征
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
峰值反向恢复电流
二极管的dv / dt坚固
符号
V
DSF
t
rr
Q
rr
I
rr
dv / dt的
I
DR
= 3.1 A,V
GS
= 0 V, V
DD
= 400 V
测试条件
I
DR
= 6.2 A,V
GS
= 0 V
I
DR
= 3.1 A,V
GS
= 0 V
- 二
DR
/ DT = 100 A / μs的
15
典型值。
220
1.6
15
最大
-1.7
单位
V
ns
µC
A
V / ns的
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