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    TK4P60D 参数 Datasheet PDF下载

    TK4P60D图片预览
    型号： TK4P60D
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： MOSFET的硅N沟道MOS （I ?? - ?? MOSI ²） [MOSFETs Silicon N-Channel MOS (π-MOS)]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 8 页 / 337 K
    品牌： SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
     浏览型号TK4P60D的Datasheet PDF文件第1页浏览型号TK4P60D的Datasheet PDF文件第2页浏览型号TK4P60D的Datasheet PDF文件第4页浏览型号TK4P60D的Datasheet PDF文件第5页浏览型号TK4P60D的Datasheet PDF文件第6页浏览型号TK4P60D的Datasheet PDF文件第7页浏览型号TK4P60D的Datasheet PDF文件第8页  
    6，电气特性
    6.1 。静态特性（T
    a
    = 25
    除非另有规定编）
    25
    特征
    栅极漏电流
    排水截止电流
    漏源击穿电压
    栅极阈值电压
    漏源导通电阻
    正向转移导纳
    符号
    I
    GSS
    I
    DSS
    V
    （ BR ） DSS
    V
    th
    R
    DS （ ON）
    |Y
    fs
    |
    测试条件
    V
    GS
    =
    ±30
    V, V
    DS
    = 0 V
    V
    DS
    = 600 V, V
    GS
    = 0 V
    I
    D
    = 10 mA时， V
    GS
    = 0 V
    V
    DS
    = 10 V，I
    D
    = 1毫安
    V
    GS
    = 10 V，I
    D
    = 2 A
    V
    DS
    = 10 V，I
    D
    = 2 A
    民
    600
    2.4
    0.7
    典型值。
    1.4
    2.5
    最大
    ±1
    10
    4.4
    1.7
    Ω
    S
    V
    单位
    µA
    6.2 。动态特性（T
    a
    = 25
    除非另有规定编）
    25
    特征
    输入电容
    反向传输电容
    输出电容
    切换时间（上升时间）
    切换时间（导通时间）
    切换时间（下降时间）
    切换时间（关断时间）
    符号
    C
    国际空间站
    C
    RSS
    C
    OSS
    t
    r
    t
    on
    t
    f
    t
    关闭
    参见图6.2.1 。
    测试条件
    V
    DS
    = 25 V, V
    GS
    = 0 V ， F = 1兆赫
    民
    典型值。
    600
    4
    70
    18
    40
    8
    55
    最大
    ns
    单位
    pF
    图。 6.2.1开关时间测试电路
    6.3 。栅极电荷特性（T
    a
    = 25
    除非另有规定编）
    25
    特征
    总栅极电荷（栅极 - 源极加
    栅极 - 漏极）
    栅极 - 源电荷
    栅极 - 漏极电荷
    符号
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    测试条件
    V
    DD
    ≈
    400 V, V
    GS
    = 10 V，I
    D
    = 4 A
    民
    典型值。
    12
    7
    5
    最大
    单位
    nC
    6.4 。源极 - 漏极特性（T
    a
    = 25
    除非另有规定编）
    25
    特征
    二极管的正向电压
    反向恢复时间
    反向恢复电荷
    符号
    V
    DSF
    t
    rr
    Q
    rr
    测试条件
    I
    DR
    = 4 A，V
    GS
    = 0 V
    I
    DR
    = 4 A，V
    GS
    = 0 V
    - 二
    DR
    / DT = 100 A / μs的
    民
    典型值。
    1200
    7
    最大
    -1.7
    单位
    V
    ns
    µC
    3/8
    www.freescale.net.cn

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