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TK4P60DB 参数 Datasheet PDF下载

TK4P60DB图片预览
型号: TK4P60DB
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内容描述: 硅N沟道MOS型(I ?? - 莫萨? | ) [Silicon N Channel MOS Type (π-MOSⅦ)]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 310 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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I
D
– V
DS
5
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
8
10
8
7
6.5
3
6.4
8
10
I
D
– V
DS
7.5
7
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
4
(A)
ID
ID
(A)
4.8
6.5
3.2
6
1.6
VGS
=
5.5V
漏电流
2
6
1
5.5
VGS
=
5 V
漏电流
0
0
2
4
6
8
10
0
0
10
20
30
40
50
漏源电压
VDS
(V)
漏源电压
VDS
(V)
I
D
– V
GS
8
常见的来源
VDS
=
20 V
脉冲测试
20
V
DS
– V
GS
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
6.4
(V)
VDS
漏源电压
16
ID ( A)
4.8
12
漏电流
3.2
25
100
Tc
= −55
°C
8
ID
=
3.7 A
1.6
4
1.9
1
0
0
2
4
6
8
10
0
0
4
8
12
16
20
栅源电压
VGS
(V)
栅源电压
VGS
(V)
|Y
fs
| – I
D
(S)
10
常见的来源
VDS
=
20 V
脉冲测试
100
常见的来源
VGS
=
10 V
Tc
=
25°C
脉冲测试
R
DS ( ON)
– I
D
|Y
fs
|
正向转移导纳
Tc
= −55
°C
25
1
100
漏源导通电阻
的RDS(ON )( Ω )
10
10
1
0.1
0.1
1
0.1
0.1
1
10
漏极电流ID ( A)
漏极电流ID ( A)
3/5
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