TK20P04M1
MOSFET的硅N沟道MOS (U - MOS -H )
1.应用
•
•
DC- DC转换器
开关稳压器
2.特点
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
高速开关
低栅极电荷:Q
SW
= 3.7 NC (典型值)。
导通电阻低的漏极 - 源极,R
DS ( ON)
= 19毫欧(典型值)(V
GS
= 10 V)
低漏电流:I
DSS
= 10
µA
(最大值) (Ⅴ
DS
= 40 V)
增强型: V
th
= 1.3〜 2.3 V(V
DS
= 10 V,I
D
= 0.1 mA)的
3.包装和内部电路
1 :门
2 :漏极(散热器)
3 :源
DPAK
4.绝对最大额定值(注) (T
a
= 25
除非另有规定编)
25
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
功耗
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
通道温度
储存温度
(T
c
= 25)
(注2 )
(注1 )
(注1 )
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
T
ch
T
英镑
等级
40
±20
20
60
27
10.4
20
150
-55到150
W
mJ
A
A
单位
V
注意:
在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品在可靠性,降低显著甚至
如果操作条件(即工作温度/电流/电压等)内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( "Handling Precautions" / "Derating概念和Methods" )和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
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