SUD70N03-06P
N沟道
30 V （ D- S） 175 °角MOSFET
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
b
漏源导通状态
漏极 - 源极导通状态
前锋
阻力
b
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A，T
J
= 125_C
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 20 A
跨
b
V
DS
= 15 V，I
D
= 20 A
20
0.0072
50
0.0046
0.006
0.0105
0.009
S
W
30
1.0
3.0
"100
1
50
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
动态
a
输入电容
输出电容
反向传输电容
总闸门
收费
c
收费
c
收费
c
栅极 - 源
栅极 - 漏极
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 15 V ，R
L
= 0.3
W
I
D
^
50 A，V
根
= 10 V ，R
g
= 2.5
W
F = 1 MHz的
0.9
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 50 A
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
3100
565
255
21
10
7.5
2.0
12
12
30
10
3.4
20
20
45
15
ns
W
30
nC
p
pF
栅极电阻
导通延迟时间
c
上升
时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
脉冲电流
二极管的正向电压
b
源漏反向恢复时间
I
SM
V
SD
t
rr
I
F
= 100 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 50 A， di / dt的= 100 A / MS
1.2
35
100
1.5
70
A
V
ns
笔记
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
Ç 。独立的工作温度。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
200
V
GS
= 10通6 V
160
I D
−
漏电流（ A）
5V
I D
−
漏电流（ A）
80
100
传输特性
120
60
80
4V
40
T
C
= 125_C
20
25_C
−55_C
0
40
3V
0
0
2
4
6
8
10
V
DS
−
漏极至源极电压（ V）
0
1
2
3
4
5
V
GS
−
栅极 - 源极电压（ V）
2/5
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