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    SUD70N03-04P 参数 Datasheet PDF下载

    SUD70N03-04P图片预览
    型号： SUD70N03-04P
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    内容描述： N沟道30 V （D -S ）， 175 ℃的MOSFET [N-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管开关脉冲
    文件页数/大小： 5 页 / 408 K
    品牌： SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
     浏览型号SUD70N03-04P的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SUD70N03-04P的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SUD70N03-04P的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SUD70N03-04P的Datasheet PDF文件第5页  
    SUD70N03-04P
    N沟道
    30 V （ D- S） 175℃ MOSFET
    典型特征（ 25_C除非另有说明）
    跨
    180
    T
    C
    =
    −55_C
    G
    FS
    −
    跨导（S ）
    25_C
    120
    125_C
    90
    60
    30
    0
    0
    20
    40
    60
    80
    100
    R
    DS （ ON）
    −
    导通电阻（ W）
    150
    0.008
    0.010
    导通电阻与漏电流
    0.006
    V
    GS
    = 4.5 V
    0.004
    V
    GS
    = 10 V
    0.002
    0.000
    0
    20
    40
    60
    80
    100
    I
    D
    −
    漏电流（ A）
    8000
    I
    D
    −
    漏电流（ A）
    10
    电容
    栅极电荷
    V GS
    −
    栅极 - 源极电压（ V）
    C
    −
    电容（pF）
    6000
    8
    V
    DS
    = 15 V
    I
    D
    = 50 A
    6
    C
    国际空间站
    4000
    4
    2000
    C
    RSS
    0
    0
    6
    12
    18
    24
    30
    V
    DS
    −
    漏极至源极电压（ V）
    C
    OSS
    2
    0
    0
    20
    40
    60
    80
    100
    Q
    g
    −
    总栅极电荷（ NC）
    1.8
    1.6
    r
    DS （ ON）
    −
    上Resiistance
    （归一化）
    1.4
    1.2
    1.0
    0.8
    0.6
    −50
    导通电阻与结温
    100
    源极 - 漏极二极管正向电压
    V
    GS
    = 10 V
    I
    D
    = 20 A
    I S
    −
    源电流（ A）
    T
    J
    = 150_C
    10
    T
    J
    = 25_C
    −25
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    175
    1
    0
    0.3
    0.6
    0.9
    1.2
    1.5
    V
    SD
    −
    源极到漏极电压（V ）
    T
    J
    −
    结温（ ° C）
    3/5
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