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    SUD50N04-8M8P 参数 Datasheet PDF下载

    SUD50N04-8M8P图片预览
    型号： SUD50N04-8M8P
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道40 V （D -S ）的MOSFET [N-Channel 40 V (D-S) MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 9 页 / 521 K
    品牌： SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
     浏览型号SUD50N04-8M8P的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SUD50N04-8M8P的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SUD50N04-8M8P的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SUD50N04-8M8P的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SUD50N04-8M8P的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SUD50N04-8M8P的Datasheet PDF文件第7页浏览型号SUD50N04-8M8P的Datasheet PDF文件第8页浏览型号SUD50N04-8M8P的Datasheet PDF文件第9页  
    SUD50N04-8m8P
    N沟道
    40 V （ D- S）的MOSFET
    典型特征
    25 ℃，除非另有说明
    2.0
    I
    D
    = 20 A
    1.7
    R
    DS （ ON）
    - 导通电阻
    V
    GS
    = 10
    V
    10
    I
    S
    - 源电流（ A）
    100
    T
    J
    = 25 °C
    （归一化）
    1.4
    V
    GS
    = 4.5
    V
    1.1
    1
    T
    J
    = 150 °C
    0.1
    T
    J
    = - 55 °C
    0.01
    0.8
    0.5
    - 50
    - 25
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    0.001
    0.0
    0.2
    0.4
    0.6
    0.8
    1.0
    1.2
    T
    J
    - 结温（ ° C）
    V
    SD
    - 源极到漏极
    电压
    (V)
    导通电阻与结温
    0.030
    I
    D
    = 7.2 A
    R
    DS （ ON）
    - 导通电阻（ Ω ）
    0.025
    0.2
    0.020
    V
    GS （ TH）
    方差
    (V)
    0.6
    源极 - 漏极二极管正向电压
    - 0.2
    I
    D
    = 1毫安
    - 0.6
    0.015
    T
    J
    = 125 °C
    0.010
    I
    D
    = 250
    µA
    0.005
    0
    2
    4
    T
    J
    = 25 °C
    6
    8
    10
    - 1.0
    - 50
    - 25
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    V
    GS
    - 栅极 - 源极
    电压
    (V)
    T
    J
    - 温度（℃ ）
    导通电阻与栅极至源极电压
    500
    1000
    阈值电压
    有限
    by
    R
    DS （ ON）
    *
    400
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    100
    10
    µs
    100
    µs
    10
    1毫秒
    10毫秒，
    100毫秒，直流
    功率（W）的
    300
    200
    T
    A
    = 25 °C
    100
    1
    0.1
    T
    C
    = 25 °C
    单脉冲
    BVDSS
    0
    0.0001
    0.001
    0.01
    时间（s）
    0.1
    1
    10
    0.01
    0.1
    单脉冲，结到环境
    1
    10
    100
    V
    DS
    - 漏 - 源
    电压
    (V)
    *
    V
    GS
    >最低
    V
    GS
    at
    哪
    R
    DS （ ON）
    为特定网络版
    安全工作区，结至外壳
    4/9
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