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SUD50N03-10P 参数 Datasheet PDF下载

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型号: SUD50N03-10P
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内容描述: N沟道30 V (D -S ), 175 ℃的MOSFET [N-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 392 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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SUD50N03-10P
N沟道
30 V ( D- S) 175℃ MOSFET
MOSFET规格(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
V
( BR ) DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
V
GS
= 0 V,I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
DS
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
Z
G
V L
D我ç
I
DSS
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ,T
J
= 125_C
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ,T
J
= 175_C
通态漏电流
B
I
D(上)
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V,I
D
= 25 A
漏源导通电阻
B
ð I S
O 4 S
R I
r
DS ( ON)
V
GS
= 10 V,I
D
= 15 A,T
J
= 125_C
V
GS
= 10 V,I
D
= 15 A,T
J
= 175_C
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 15 A
正向跨导
B
动态
A
输入电容
输出电容
Reversen传输电容
总栅极电荷
C
栅极 - 源电荷
C
栅极 - 漏极电荷
C
导通延迟时间
C
上升时间
C
打开-O FF延迟时间
C
下降时间
C
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DD
= 15 V ,R
L
= 0.3
W
,
I
D
]
50 A,V
= 10 V ,R
G
= 2.5
W
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V,I
D
= 50 A
V
V
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V F = 1 MH
V
V,
兆赫
2700
680
360
45
8.5
9.5
12
7
35
12
20
15
ns
60
20
70
nC
C
pF
F
g
fs
V
DS
= 15 V,I
D
= 15 A
20
0.011
40
50
0.0075
0.010
0.016
0.019
0.015
S
W
符号
测试条件
典型值
最大
单位
30
V
1
2
"100
1
50
150
A
mA
A
nA
源漏二极管额定值和特性(T
C
= 25_C)
A
连续电流
脉冲电流
正向电压
B
反向恢复时间
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
F
= 50 A,V
GS
= 0 V
I
F
= 50 A, di / dt的= 100 A / MS
1.2
40
50
A
180
1.5
80
V
ns
注意事项:
一。通过设计保证,不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士,
占空比
v
2%.
Ç 。独立的工作温度。
2/5
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