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SUD45N05-20L 参数 Datasheet PDF下载

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型号: SUD45N05-20L
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内容描述: N沟道50 V (D -S ), 175 ℃的MOSFET [N-Channel 50 V (D-S) 175 °C MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 484 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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SUD45N05-20L
N沟道
50 V ( D- S) 175℃ MOSFET
规格(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
V
( BR ) DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
V
GS
= 0 V,I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 50 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
Z
G
V L
D我ç
I
DSS
V
DS
= 50 V, V
GS
= 0 V ,T
J
= 125_C
V
DS
= 50 V, V
GS
= 0 V ,T
J
= 175_C
通态漏电流
b
I
D(上)
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V,I
D
= 20 A
ð I S
O 4 S
R I
漏源导通电阻
b
r
DS ( ON)
V
GS
= 10 V,I
D
= 20 A,T
J
= 125_C
V
GS
= 10 V,I
D
= 43 A,T
J
= 125_C
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 43 A
正向跨导
b
g
fs
V
DS
= 15 V,I
D
= 43 A
20
43
0.018
0.036
0.040
0.020
S
W
50
V
1.0
2.0
"100
1
50
150
A
mA
A
nA
符号
测试条件
典型值
a
最大
单位
动态
a
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DD
= 25 V ,R
L
= 0 6
W
V,
0.6
I
D
^
43 A,V
= 10 V R
G
= 2 5
W
A
V,
2.5
V,
V
DS
= 25 V, V
GS
= 10 V I
D
= 43 A
V
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V , F = 1兆赫
1800
370
130
43
7
10
10
10
32
7
20
20
ns
60
15
60
nC
C
3600
pF
F
源极 - 漏极二极管额定值和特性(T
C
= 25_C)
脉冲电流
二极管的正向电压
b
源漏反向恢复时间
I
SM
V
SD
t
rr
I
F
= 43 A,V
GS
= 0 V
I
F
= 43 A, di / dt的= 100 A / MS
49
43
1.5
100
A
V
ns
笔记
一。通过设计保证,不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士,
占空比
v
2%.
Ç 。独立的工作温度。
2/5
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